[发明专利]一种化学机械抛光垫及其制备方法在审
申请号: | 202110461979.2 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN114701105A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 相红旗;陈浩聪;姚力军 | 申请(专利权)人: | 宁波赢伟泰科新材料有限公司;宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | B29C41/24 | 分类号: | B29C41/24;B29C41/46;B24B37/24;B24D18/00;B29K75/00;B29L7/00 |
代理公司: | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 张静 |
地址: | 315000 浙江省宁波市余姚市三七*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 及其 制备 方法 | ||
1.一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:材料搅拌混合,混合后抽真空脱泡,制备树脂浆料;
步骤2:成膜基材涂上脱模剂,所述树脂浆料刮涂到所述成膜基材上;
步骤3:所述成膜基材进行第一次凝结,凝结时间为0.5-5分钟,获得可剥离的半固化状态树脂浆料,将所述半固化状态树脂浆料从所述成膜基材上剥离;
步骤4:对从所述成膜基材上剥离的半固化状态树脂浆料进行第二次凝结,凝结时间为10分钟以上,通过后处理制得抛光垫;
所述树脂浆料由聚氨酯树脂、DMF、亲水性添加剂、炭黑组成,所述第一次凝结和第二次凝结在凝结液中进行,所述凝结液包含有DMF。
2.根据权利要求1所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述第一次凝结中凝结液中DMF的质量浓度在15%以下,所述第一次凝结的凝结液的温度在40摄氏度以上,所述第一次凝结时间在0.5-5分钟。
3.根据权利要求1所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述第二次凝结的凝结液中DMF质量浓度在20%以上,或者加入溶剂,所述第二次凝结的凝结液的温度在10摄氏度以下,所述第二次凝结的时间在10分钟以上。
4.根据权利要求1所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述亲水性添加剂选自阴离子型表面活性剂、阳离子型表面活性剂、非离子型表面活性剂中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述阴离子型表面活性剂选自硫酸盐、磷酸盐、羧酸盐、苯磺酸盐中的一种。
6.根据权利要求4所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述阳离子型表面活性剂选自脂肪胺盐、乙醇胺盐、聚乙烯多胺盐中的一种。
7.根据权利要求4所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述非离子型表面活性剂选自聚氧乙烯类、失水山梨醇酯类、蔗糖酯类、烷基醇酰胺类、改性纤维素类、改性淀粉中的一种。
8.根据权利要求7所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述改性纤维素类选自改性纤维素酯类、改性纤维素醚类中的一种。
9.根据权利要求1所述化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述脱模剂是水溶性成膜物质;所述水溶性成膜物质选自羧甲基纤维素钠、羟丙基甲基纤维素、阿拉伯树胶、海藻酸钠、聚乙二醇、聚乙烯醇中的一种或多种。
10.一种根据权利要求1~9任意一项所述的化学机械抛光垫的制备方法制备得到的抛光垫,在半导体芯片制造的化学机械抛光工艺中的应用。
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