[发明专利]一种VCSEL的制备方法

权利要求书

1.一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：

S1：在全结构的外延片的N面上生长一层应力膜；

S2：在所述外延片上通过干法刻蚀形成台阶，完全裸露出氧化层；

S3：利用湿法氧化工艺定义出发光区域；

S4：在晶圆P面沉积一层光学膜，并通过光刻及干法刻蚀刻出电极图形；

S5：利用溅射金属工艺，在电极图形上镀上电极金属材料，形成P面的欧姆接触；

S6：旋涂正性光刻胶，曝光显影后，进行金属沉积，实现P面的金属互联；

S7：进行切割道的光刻与蚀刻，得到芯片的粗略图形；

S8：对晶圆进行研磨减薄以及N面的金属沉积；

S9：对晶圆进行切割得到芯片。

2.根据权利要求1所述的一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述S2、S4步骤进行干法刻蚀前，均需使用旋涂机旋涂一层正光刻胶。

3.根据权利要求2所述的一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述应力膜材料为SiNx或SiO₂。

4.根据权利要求3所述的一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述光学膜材料选自Si、N、O、Al、F、Mg元素形成电介质的一种或几种。

5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述电极金属材料为钛、铬、钨、金、锑中的一种或几种。

6.根据权利要求5所述的一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述N面金属沉积为金、钛、银、铜、铬、锰、锗元素中的一种或者几种。

7.根据权利要求6所述的一种VCSEL的制备方法，其特征在于，所述全结构的外延片依次包括单晶衬底、N-DBR、氧化层、量子阱有源层、P-DBR。