[发明专利]一种多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法

权利要求书

1.一种多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法，其特征在于：其包括如下步骤：

步骤S1，在双面覆铜板进行内层机械钻孔、棕化、内层镭射钻孔、内层除胶渣、内层孔化、内层填孔、内层线路、内层AOI、棕化、外层压合、打靶铣边、减铜、外层镭射前棕化、外层镭射钻孔，得到封装基板；

步骤S2，对封装基板及盲孔进行等离子清洗；

步骤S3，在封装基板钻非导通的定位孔；

步骤S4，对封装基板进行除胶渣处理，除去孔内及表面的胶渣；

步骤S5，对封装基板进行孔化处理，在盲孔的孔壁上形成一层导电膜，使封装基板两面的最外两层之间通过盲孔内的导电膜连接起来，与内层埋孔相连；

步骤S6，进行盲孔填孔处理；

步骤S6包括除油处理、水洗处理、第一次微蚀处理、水洗处理、预镀处理、第二次微蚀处理、水洗处理、预浸处理、水洗处理、填孔处理、水洗处理；

其中，采用除油溶液进行除油处理中，除油溶液中除油剂的浓度为9-11%，除油溶液的温度为44℃-54℃；

第一次微蚀处理和第二微蚀处理中，采用微蚀处理溶液进行微蚀处理，所述微蚀处理溶液包含微蚀剂过硫酸钠和硫酸，其中第一次微蚀处理的处理溶液中，微蚀剂过硫酸钠的浓度为22-28g/L，硫酸的质量浓度为2.2-2.8%；

预镀处理中，先采用预镀处理溶液进行预镀处理8-15分钟，然后再以2.0ASD、1.5ASD、1.0ASD的电流密度拖缸4小时、6小时、8小时；所述预镀处理溶液包含硫酸铜、硫酸、氯化液、湿润剂、平整剂和光亮剂，所述预镀处理溶液中的氯离子的浓度为70ppm；所述预镀处理溶液的温度为20℃-26℃；

预浸处理中，采用预浸处理溶液进行处理，所述预浸处理溶液包含预浸剂和硫酸，所述预浸剂的质量百分比浓度为11-13%，硫酸的质量百分比浓度为1.5-2.5%；处理温度为22℃-26℃；

采用分段填孔的方式在第一层导电铜层上形成第二导电铜层，其中第二导电层为封装基板的盲孔内铜填满的铜层以及封装基板表面铜层；

填孔处理采用的填孔处理溶液包含硫酸铜、硫酸、氯化液、湿润剂、平整剂和光亮剂，其中所述硫酸铜浓度为190-210g/L，硫酸的浓度为90-110g/L，氯化液的浓度为70-80ppm，湿润剂的浓度为8-10mL/L，光亮剂的浓度为0.24-0.26mL/L，平整剂的浓度为7-9mL/L。

2.根据权利要求1所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法，其特征在于：步骤S5包括：

步骤S501，酸洗清洁封装基板板面氧化层及脏污；

步骤S502，将封装基板经过PI调整处理，粗化及调整盲孔孔壁聚酰亚胺树脂表面，以便封装基板与盲孔金属层更好地结合；

步骤S503，对调整后的封装基板进行清洗冲洗，去除封装基板板面的药水残留；

步骤S504，整孔处理，去除封装基板盲孔内及板面钻孔留下的残渣；

步骤S505，冲洗清洗封装基板板面药水残留；

步骤S506，氧化处理，通过氧化剂选择性地氧化孔壁介质层表面，形成氧化介质层，在树脂和玻璃纤维表面形成二氧化锰层；

步骤S507，水洗封装基板板面的药水残留；

步骤S508，催化处理，将封装基板放入含有有机单体化合物和催化剂的酸性介质中，使单体分子选择性的在封装基板孔壁的玻璃纤维和树脂区域与二氧化锰发生聚合反应，生成一层高分子的聚合物导电膜；

步骤S509，清洗封装基板板面，并吹干板面。

3.根据权利要求2所述的多层板盲孔埋孔填孔封装基板制作方法，其特征在于：步骤S501中，酸洗采用溶液为硫酸溶液，硫酸溶液的浓度为3.5-4.5%；

步骤S502中，采用调整剂溶液对封装基板进行调整处理，调整剂溶液中，调整剂的重量百分比浓度为10%-20%，碱当量为1.0~1.4N，调整处理的时间为50秒；

步骤S504中，采用整孔处理溶液对将封装基板进行整孔处理，所述整孔处理溶液中，碳酸钠的浓度为4-8g/L；整孔处理溶液的温度为50℃-60℃；

步骤S506中，采用氧化处理溶液对将封装基板进行氧化处理，所述氧化处理溶液包含硼酸，所述氧化处理溶液的温度为85℃-91℃，pH值为5.18-6.62；

步骤S508中，所采用的催化剂包括PSH CAT-2880B-MU、PSH CAT-2880A中的至少一种。