[发明专利]一种用于无掩膜曝光的投影模组有效
申请号: | 202110463405.9 | 申请日: | 2021-04-28 |
公开(公告)号: | CN113156776B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 桂立 | 申请(专利权)人: | 苏州赛源光学科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 葛燕婷 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 无掩膜 曝光 投影 模组 | ||
本发明公开了一种用于无掩膜曝光的投影模组,包括前透镜组、光阑以及后透镜组,光阑位于前透镜组及后透镜组之间,前透镜组包括依次设置的第一透镜,第一透镜为凸凹透镜;第二透镜,第二透镜为凸平透镜;第三透镜,第三透镜为凸凹透镜;第四透镜,第四透镜为平凸透镜;后透镜组包括依次设置的第五透镜,第五透镜为凹平透镜;第六透镜,第六透镜为凹凸透镜;第七透镜,第七透镜为凹凸透镜;第八透镜,第八透镜为凸平透镜。通过上述设计,本发明用于无掩膜曝光的投影模组能够实现370nm‑410nm范围内的消色差成像,成像效果好,透过率高、畸变低、物像远心度小。
技术领域
本发明涉及光学镜头,尤其是涉及一种微纳光刻用无掩膜曝光的投影模组。
背景技术
在微电子、光学、线路板等微加工领域,紫外曝光机具有非常重要的应用。传统掩膜式曝光机使用的是大尺寸平行紫外光源加掩膜的曝光形式。而目前现有无掩膜曝光机采用的是光源、光源准直系统、DMD芯片以及投影模组的结构。但现有的投影模组无法实现370nm-410nm范围内的消色差成像,导致成像效果不好。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种能够实现370nm-410nm范围内的消色差成像,成像效果好的用于无掩膜曝光的投影模组。
本发明的目的之一采用以下技术方案实现:
一种用于无掩膜曝光的投影模组,包括前透镜组、光阑以及后透镜组,所述光阑位于所述前透镜组及所述后透镜组之间,所述前透镜组包括依次设置的第一透镜,所述第一透镜为凸凹透镜;第二透镜,所述第二透镜为凸平透镜;第三透镜,所述第三透镜为凸凹透镜;第四透镜,所述第四透镜为平凸透镜;所述后透镜组包括依次设置的第五透镜,所述第五透镜为凹平透镜;第六透镜,所述第六透镜为凹凸透镜;第七透镜,所述第七透镜为凹凸透镜;第八透镜,所述第八透镜为凸平透镜。
进一步地,所述前透镜组前为物面,所述后透镜后为像面;或者所述前透镜组前为像面,所述后透镜后为物面。
进一步地,所述第一透镜靠近物面为凸面,靠近像面为凹面。
进一步地,所述第二透镜靠近物面为凸面,靠近像面为平面。
进一步地,所述第三透镜靠近物面为凸面,靠近像面为凹面。
进一步地,所述第四透镜靠近物面为平面,靠近像面为凸面。
进一步地,所述第五透镜靠近物面为凹面,靠近像面为平面。
进一步地,所述第六透镜靠近物面为凹面,靠近像面为凸面。
进一步地,所述第七透镜靠近物面为凹面,靠近像面为凸面。
进一步地,所述第八透镜靠近物面为凸面,靠近像面为平面。
相比现有技术,本发明用于无掩膜曝光的投影模组能够实现370nm-410nm范围内的消色差成像,成像效果好,透过率高、畸变低、像面远心度小。
附图说明
图1为本发明用于无掩膜曝光的投影模组的光路示意图;
图2为图1的用于无掩膜曝光的投影模组的场曲图;
图3为图1的用于无掩膜曝光的投影模组的畸变图;
图4为图1的用于无掩膜曝光的投影模组的MTF图;
图5为图1的用于无掩膜曝光的投影模组的弥散斑示意图;
图6为图1的用于无掩膜曝光的投影模组的像面远心度曲线图。
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