[发明专利]一种基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法

权利要求书

1.一种基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，包括：

S1、形成PI-铜电极的复合体层，铜电极全部嵌合或局部嵌合到PI膜中；

S2、再在PI膜-铜电极的复合体层表面形成PI材料层，构成PI-铜电极-PI材料层的组合体；

S3、对PI材料层进行LIG处理，激光透导使其形成石墨烯发热层图案，构成PI膜-铜电极复合体层-图案化石墨烯层的结构；和

S4、在图案化石墨烯层表面封装保护膜层；

所述S1的具体方法为：

在铜电极表面，涂布热塑性PI预聚体聚酰胺酸，干燥半固化形成聚酰胺酸膜，再与PI膜进行高温压合并亚胺化，形成PI-铜电极复合体；

所述S2的具体方法为：

S2-1、在到S1制得的PI膜-铜电极复合体层表面涂布热塑性PI预聚体聚酰胺酸，干燥形成半固化聚酰胺酸膜，在此过程中，对铜箔电极端子区进行局域保护，确保表面端子区不覆盖PI预聚体，干燥，使PI预聚体形成半固化聚酰胺酸膜；

S2-2、对形成的聚酰胺酸膜完成亚胺化处理，形成PI-铜电极-PI材料层的组合体。

2.根据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S1中，所述干燥的温度为120-200℃，干燥时间为1-20min。

3.据权利要求2所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S1中，所述干燥的温度为150℃，干燥时间为10min。

4.据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S1中，所述亚胺化处理的方法为在高温下施压：压合温度为250-350℃，压力为2-10MPa。

5.根据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S2-1中，所述干燥的温度为120-200℃，干燥时间为1-20min。

6.根据权利要求5所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S2-1中，所述干燥的温度为150℃，干燥时间为10min。

7.根据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S2-2中，所述亚胺化处理的方法为在高温下施压：压合温度为250-350℃，压力为2-10MPa。

8.根据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S3中，LIG处理条件为：激光扫描的波长为1-20微米，功率为2-20W，脉冲时间为5-30微秒。

9.根据权利要求8所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S3中，LIG处理条件为：激光扫描的波长为10.6微米，功率为4.8W，脉冲时间为20微秒。

10.根据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，保护膜层采用PI材料，最终产品的结构形成PI-铜电极-LIG层-PI的组合体，即石墨烯高温电热膜。

11.根据权利要求1所述的基于LIG法制备石墨烯高温电热膜的方法，其特征在于，所述S4的具体方法为：

S4-1、取PI膜作为封装层；

S4-2、在PI封装层表面涂布热塑性PI预聚体聚酰胺酸，半干燥形成聚酰胺酸膜,且在局域进行开孔处理；

S4-3、随后与S3形成的与PI-铜电极-石墨烯组合体进行压合，并完成亚胺化处理,使PI封装层表面的聚酰胺酸膜与PI封装层形成一体的PI材料作为保护层，压合前确保通过开孔暴露出局部铜电极端子，从而获得PI-铜电极-LIG层-PI组合体，即石墨烯高温电热膜。