[发明专利]一种射频模组的封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种射频模组的封装结构，其包括封装基板，封装基板的正面分布有焊盘，一个以上的元器件与所述焊盘电控连接，其特征在于：所述元器件与所述封装基板之间的空隙通过填充介质填充，所述元器件外端面及所述封装基板的正面包覆有屏蔽层，所述屏蔽层外部设有塑封层。

2.根据权利要求1所述的一种射频模组的封装结构，其特征在于：所述元器件的外端面及所述封装基板的正面与所述屏蔽层之间还还设有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的一种射频模组的封装结构，其特征在于：所述绝缘层上对应所述封装基板正面的焊盘处还设有连接孔，所述屏蔽层通过填充该所述连接孔与所述封装基板电控连接。

4.根据权利要求3所述的一种射频模组的封装结构，其特征在于：所述绝缘层采用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜或聚酰亚胺绝缘薄膜，且厚度在0.05~1um之间。

5.根据权利要求4所述的一种射频模组的封装结构，其特征在于：所述屏蔽层采用银、铜、锡、铝、镍中的一种金属层或多种复合金属层。

6.根据权利要求5所述的一种射频模组的封装结构，其特征在于：所述塑封层采用环氧树脂层。

7.利用权利要求1所述的射频模组的封装结构的制作方法，先采用表面组装技术（SMT）或者倒装芯片装配技术（FC）将元器件焊接于封装基板上，其特征在于：

步骤一，采用点胶或涂覆方式将填充介质的填充胶点在所述元器件与所述封装基板的空隙处，填充介质通过毛细作用填充空隙，固化成形；

步骤二，通过物理气相沉积、溅射或电镀的方式在所述元器件外端面及所述封装基板的正面制备屏蔽层；

步骤三，使用注塑方式制备所述屏蔽层外部的塑封层，再切割、测试及包装。

8.根据权利要求7所述的一种射频模组的封装结构的制作方法，其特征在于：在步骤二之前，通过化学气相沉积方式在所述元器件外端面及所述封装基板的正面先制备一层绝缘层。