[发明专利]一种从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法

权利要求书

1.一种从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法，其特征在于，由以下步骤构成：

步骤（1）：将四甲基氯化铵废水过滤后加入减压蒸馏装置中进行蒸发结晶；

步骤（2）：向步骤（1）蒸发结晶后的蒸发釜内加入清洗剂进行第一次清洗，清洗后进行抽滤；

步骤（3）：对步骤（2）得到的晶体用清洗剂进行第二次清洗，清洗后进行抽滤；

步骤（4）：将步骤（3）得到的晶体置于真空干燥箱内干燥，干燥后得到白色四甲基氯化铵晶体；

步骤（1）中减压蒸发结晶的绝对压力为1~5 kPa；

步骤（2）和步骤（3）中清洗所用清洗剂均为乙酸乙酯；

步骤（2）中清洗剂用量与四甲基氯化铵废水的质量比为3:16 ~ 3:8；

步骤（3）中清洗剂用量与四甲基氯化铵废水的质量比为1:8 ~ 1:4。

2.根据权利要求1所述的从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法，其特征在于，步骤（2）和步骤（3）中清洗时间均为2~3h。

3.根据权利要求1所述的从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法，其特征在于，步骤（4）中真空干燥温度为40~60℃。

4.根据权利要求1所述的从半导体显影废水中回收四甲基氯化铵的方法，其特征在于，步骤（4）中真空干燥时长为3~6h。