[发明专利]抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）Cu⁺离子交换：以氯化亚铜和氯化锌为熔盐，对激光钕玻璃原料进行离子交换，得到激光钕玻璃基片；

2）电场辅助离子扩散：将步骤1）得到的激光钕玻璃基片的两面表面制作铜金属膜；之后将玻璃基片加热升温至400～500℃之间，以镀铜面为电极在玻璃基片两侧施加直流偏压，保持通过玻璃基片的电流密度为0.2～4mA/cm²，进行电场辅助离子扩散，维持交换1-12h，得到激光钕玻璃中间体；

3）Cu⁺离子氧化：将步骤2）制备的激光钕玻璃中间体，以0.1L/min～2L/min速率通入氧气混合气，持续通气10～60 min以排除空气；排气结束后，以0.1ºC/min～5ºC/min的升温速率升至400℃～500℃的反应温度，保温24h～72h，保温结束后，断电，但维持气体流量不变，待温度降至室温后，得到所述激光钕玻璃。

2.如权利要求1所述的抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃的制备方法，其特征在于，步骤1）中所述熔盐为氯化亚铜和氯化锌的混合溶液，其中的质量比为100∶（0.1-5）。

3.如权利要求1所述的抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃的制备方法，其特征在于，步骤1）中所述离子交换的交换温度为400-500 ℃，升温速率为0.1-5 ℃/min，交换时间为0.5-8小时。

4.如权利要求1所述的抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述铜金属膜是采用磁控溅射的方法制得的。

5.如权利要求4所述的抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃的制备方法，其特征在于，所述铜金属膜的厚度为50-100nm。

6.如权利要求1所述的抑制放大自发辐射和寄生振荡的激光钕玻璃的制备方法，其特征在于，其中步骤2）中，所述升温的速率为0.1-5 ℃/min。