[发明专利]栅氧化层工艺中的厚度补偿方法

权利要求书

1.一种栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，其特征在于：根据每lot批次晶圆上栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性，按比例进行栅氧化层厚度的自动补偿；

根据每lot批次栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性按比例获得栅氧化层生长厚度补偿系数K值，进行栅氧化层厚度的自动补偿，包含：

步骤一，测得每lot批次栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度a；

步骤二，设定硅表面氧化层厚度目标值t；

步骤三，栅氧化层新生长厚度目标值为T；

步骤四，计算栅氧化层生长总厚度目标值为L=T+K*（a-t），其中0＜K≤1；

步骤五，根据计算得到的栅氧化层生长总厚度目标值L，选择相应的栅氧化层生长工艺参数。

2.如权利要求1所述的栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，其特征在于：所述的每lot批次的栅氧化层已具有的氧化层厚度大于10Å。

3.如权利要求1所述的栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，其特征在于：所述的掺杂栅氧化层，其掺杂类型为N型。

4.如权利要求1所述的栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，其特征在于：其中栅氧化层生长厚度补偿系数K值是根据每lot批次栅氧化层生长前硅片上的氧化层厚度与最终形成的栅氧化层电学厚度的线性关系的斜率获得。

5.如权利要求1所述的栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，其特征在于：所述每lot批次晶圆上栅氧化层生长前已具有的氧化层，是由前层光刻工艺中干法刻蚀去除光刻胶的过程中的高温过程所形成。

6.如权利要求2所述的栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，其特征在于：当每lot批次的栅氧化层已具有的氧化层厚度小于10Å时则无需考虑对晶圆栅氧化层生长厚度进行补偿，直接进行栅氧化层生长。