[发明专利]衰减器芯片

权利要求书

1.一种衰减器芯片，其特征在于，包括介质基板和生长于所述介质基板上的输入端、输出端、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第一接地端、第二接地端、第三接地端和多条传输线，所述输入端、所述输出端、所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻、所述第三薄膜电阻、所述第一接地焊盘、所述第二接地焊盘、所述第一接地端、所述第二接地端和所述第三接地端均呈方形结构；

所述输入端通过第一传输线与所述第一薄膜电阻的第一端连接，所述第一薄膜电阻的第二端、所述第二薄膜电阻的第一端和所述第三薄膜电阻的第一端共接，所述第二薄膜电阻通过第二传输线与所述输出端连接，所述第三薄膜电阻的第二端通过第三传输线与所述第一接地焊盘连接且通过第四传输线与所述第二接地焊盘连接以及通过第五传输线与所述第三接地端连接，所述第一接地焊盘还通过第六传输线与所述第一接地端连接，所述第二接地焊盘还通过第七传输线与所述第二接地端连接。

2.如权利要求1所述的衰减器芯片，其特征在于，所述衰减器芯片还包括呈方形结构的第三接地焊盘、第四接地焊盘、第四接地端和第五接地端；

所述第三接地焊盘通过第八传输线与所述第四接地端连接，所述第四接地焊盘通过第九传输线与所述第五接地端连接。

3.如权利要求2所述的衰减器芯片，其特征在于，所述输入端、所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻和所述输出端沿第一方向平行设置，所述第一接地焊盘和所述第二接地焊盘沿与第一方向平行的第二方向平行设置，所述第一薄膜电阻与所述第二薄膜电阻与所述第三薄膜电阻垂直设置并对称设置于所述第三薄膜电阻的两侧，所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的尺寸相同。

4.如权利要求3所述的衰减器芯片，其特征在于，所述第一接地焊盘、所述输入端和所述第三接地焊盘沿与第一方向垂直的第三方向平行设置，所述第一接地焊盘和所述第三接地焊盘对称设置于所述输入端的两侧；

所述第二接地焊盘、所述输出端和所述第四接地焊盘沿与第三方向平行的第四方向平行设置，所述第二接地焊盘和所述第四接地焊盘对称设置于所述输出端的两侧。

5.如权利要求2所述的衰减器芯片，其特征在于，所述第一接地焊盘和所述第三接地焊盘与所述输入端之间的距离均为140um～160um；

所述第二接地焊盘和所述第四接地焊盘均与所述输出端之间的距离为140um～160um。

6.如权利要求2所述的衰减器芯片，其特征在于，各所述传输线呈直线连接，所述第一传输线、所述第二传输线、所述第三传输线和所述第四传输线等长等宽；

所述输入端和所述输出端的尺寸相等，所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端和所述第四接地端尺寸相等。

7.如权利要求6所述的衰减器芯片，其特征在于，所述第一传输线和所述第二传输线的长度范围为100um～150um且宽度范围为25um～35um；

所述第三传输线和所述第四传输线的长度范围为170um～180um且宽度范围为25um～35um；

所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的长度范围为2um～10um且宽度范围为30um～50um，所述第三薄膜电阻的长度范围为120um～140um且宽度范围为10um～20um。

8.如权利要求6所述的衰减器芯片，其特征在于，所述第一传输线和所述第二传输线的长度范围为100um～150um且宽度范围为25um～35um；

所述第三传输线和所述第四传输线的长度范围为165um～175um且宽度范围为25um～35um；

所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的长度范围为2um～10um且宽度范围为25um～35um，所述第三薄膜电阻的长度范围为100um～110um且宽度范围为20um～30um。