[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底，具有前侧和背侧；

静态随机存取存储器(SRAM)电路，具有形成在所述衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，所述SRAM位单元的第一单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至所述两个反相器的第一传输门和第二传输门；

第一位线，设置在所述衬底的前侧上并连接至所述第一传输门；以及

第二位线，设置在所述衬底的背侧上并连接至所述第二传输门。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一电源线，设置在所述衬底的前侧上并连接至所述两个反相器的第一类型场效应晶体管(FET)；和

第二电源线，设置在所述衬底的背侧上并连接至所述两个反相器的第二类型FET。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中

所述第一电源线为高压电源线Vdd，所述第一类型FET为p型FET(pFET)；并且

所述第二电源线为低压电源线Vss，所述第二类型FET为n型FET(nFET)。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中

第三电源线设置在所述衬底的前侧上并连接至所述两个反相器的另一nFET；并且

所述第三电源线为低压电源线Vss。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中

所述SRAM位单元的第二单元与所述SRAM位单元的第一单元相邻；

所述SRAM位单元的第二单元的第一位线设置在所述衬底的背侧上并连接至所述SRAM位单元的第二单元的第二传输门；并且

所述SRAM位单元的第二单元的第二位线设置在所述衬底的前侧上并连接至所述SRAM位单元的第二单元的第一传输门。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括

前侧接触部件，位于所述第一传输门的源极/漏极部件的顶面上；和

背侧接触部件，位于所述第二传输门的源极/漏极部件的底面上，其中

所述第一电源线通过所述前侧接触部件连接至所述第一传输门，并且

所述第二电源线通过所述前侧接触部件连接至所述第二传输门。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括

前侧接触部件，位于所述第一传输门的源极/漏极部件的顶面上；和

背侧接触部件，位于所述第二传输门的源极/漏极部件的底面上。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中

所述前侧接触部件还包括设置在所述第一传输门的源极/漏极部件的顶面上的第一硅化物部件；并且

所述背侧接触部件还包括设置在所述第二传输门的源极/漏极部件的底面上的第二硅化物部件。

9.一种半导体结构，包括：

衬底，具有前侧和背侧；

静态随机存取存储器(SRAM)电路，具有形成在所述衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，所述SRAM位单元的每一个均包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至所述两个反相器的第一传输门和第二传输门；

所述SRAM位单元的第一单元，包括设置在所述衬底的前侧上并连接至所述第一传输门的位线和设置在所述衬底的背侧上并连接至所述第二传输门的互补位线；以及

所述SRAM位单元的第二单元，包括设置在所述衬底的背侧上并连接至所述第二单元的第一传输门的位线和设置在所述衬底的前侧上并连接至所述第二单元的第二传输门的互补位线。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

接收具有多个静态随机存取存储器(SRAM)单元的集成电路(IC)布局；

识别所述SRAM单元中的电源线和信号线的接触部件；

将所述接触部件分类为第一组和第二组；以及

修改所述IC布局，使得第一组接触部件配置在衬底的前侧上，第二组接触部件以非对称结构配置在所述衬底的背侧上。