[发明专利]一种基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线及其应用在审
| 申请号： | 202110472100.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113138441A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李强;马彬泽;仇旻 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/122 |
| 代理公司： | 杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙) 33315 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 圆盘 结构 品质 因子 介质 纳米 天线 及其 应用 | ||
1.一种基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，包括超薄硅膜以及设置在超薄硅膜上的硅圆盘周期阵列。
2.根据权利要求1所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，所述圆盘与所述超薄硅膜一体设置。
3.根据权利要求1所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，所述超薄硅膜为以氧化硅为衬底的硅膜。
4.根据权利要求3所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，氧化硅衬底的厚度为350μm～2mm，所述超薄硅膜的厚度为120nm～3μm。
5.根据权利要求1所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，所述超薄硅膜为绝缘体上硅，所述绝缘体上硅为三层结构，其包括硅衬底、氧化硅中间层以及硅顶层；且所述圆盘与所述硅顶层一体设置。
6.根据权利要求5所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，所述硅衬底的厚度为350μm～2mm，氧化硅中间层的厚度为120nm～3μm，硅顶层的厚度为120nm～1.5μm。
7.根据权利要求1所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线，其特征在于，所述圆盘周期阵列中，所述圆盘的直径为60nm～1μm，厚度为10～220nm，周期为300nm～1μm。
8.一种如权利要求1～7所述的基于浅刻圆盘结构的高品质因子介质纳米天线在光谱选择中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，将光源垂直入射所述介质纳米天线，所述介质纳米天线将特定波长的光反射，实现特定波长光谱的选择。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述光源为宽谱光源，其波长范围为600～1700nm。
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