[发明专利]一种钐钴稀土磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于，所述钐钴稀土磁体的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段，

所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa～15kPa，所述第一熔炼阶段的熔炼温度从室温升温至T1，所述T1为1050℃～1100℃；

所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa～50kPa，所述第二熔炼阶段的熔炼温度从T2升温至T3，所述T2为1050℃～1100℃,所述T3为1250℃～1350℃；

所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa～90kPa，所述第三熔炼阶段的熔炼温度从T4升温至T5，所述T4为1250℃～1350℃，所述T5为1500℃～1600℃；

所述钐钴稀土磁体按照R_xFe_yCo_1-x-y-p-qCu_pM_q进行配料，其中，R仅是Sm或者是含有Sm的2种以上的稀土元素；M元素为Zr、Ti、Hf元素中的至少一种；

且原子百分比为0.11≤x≤0.12,0.15≤y≤0.35,0.04≤p≤0.075，0.01≤q≤0.035，并满足0.05≤p+q≤0.11,7.5≤(1-x)/x≤8.0,1.5≤p/q≤4.5。

2.根据权利要求1所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于：所述熔炼的压力气氛为惰性气体气氛。

3.根据权利要求1所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于：还包括将所述熔炼熔化得到的合金液依次经过铸造、制粉、压制成型、烧结和时效处理。

4.根据权利要求3所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于，所述铸造为在1450℃～1600℃下将合金液通过甩带铸造或离心铸造得到合金锭。

5.根据权利要求3所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于，所述制粉为将经过均一化处理后的合金锭依次进行粗破碎和气流磨制得合金粉，所述合金粉的平均粒度为4um～6um。

6.根据权利要求3所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于：所述压制成型为将合金粉经过磁场取向压制和冷等静压压制得到生坯。

7.根据权利要求3所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于，所述烧结处理包括:第一烧结阶段、第二烧结阶段和第三烧结阶段；

所述第一烧结阶段的气氛压力小于或等于0.1Pa，烧结温度为小于或等于1190℃，所述第一烧结阶段时间为1～10h；

所述第二烧结阶段先将烧结温度升至1190℃～1220℃，烧结0.5h～2h后向烧结室中充入惰性气体，在气氛压力为0.15Mpa～0.6Mpa的条件下烧结0.5h～2h；

所述第三烧结阶段先排出部分惰性气体，保持气氛压力在0.08Mpa～0.15Mpa之间，继续烧结0.5h～2h，然后把烧结温度降至1150℃～1190℃，保温5h～20h。

8.根据权利要求3所述的钐钴稀土磁体的制备方法，其特征在于，所述的时效处理在真空环境或者惰性气体氛围下进行，所述时效处理的温度为800℃～850℃，保温15h～30h后降温至360℃～400℃，降温速度小于或等于1.2℃/min，再进行保温2h～20h，之后冷却至室温，即得所述的钐钴稀土磁体。

9.一种钐钴稀土磁体，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述钐钴稀土磁体的制备方法制得。