[发明专利]控制器及半导体存储装置的操作方法以及存储系统

权利要求书

1.一种操作存储系统的控制器的方法，所述控制器控制包括多个存储块的半导体存储装置，所述方法包括以下步骤：

感测所述存储系统的通电状态；以及

基于感测到所述存储系统处于所述通电状态，使用扫描读取电压对所述多个存储块进行擦除块扫描操作，

其中，所述多个存储块中的每个存储单元均储存至少两位数据，并且

其中，所述扫描读取电压使得所述存储单元的擦除状态和编程状态能够相互区分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用扫描读取电压对所述多个存储块进行擦除块扫描操作的步骤包括以下步骤：

从所述多个存储块中选择尚未进行所述擦除块扫描操作的存储块；

控制所述半导体存储装置，以便使用所述扫描读取电压对被选存储块进行单层单元SLC读取操作；以及

基于所述SLC读取操作的结果，更新被选存储块的块状态。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，控制所述半导体存储装置，以便使用所述扫描读取电压对被选存储块进行所述SLC读取操作的步骤包括以下步骤：

控制所述半导体存储装置，以便使用所述扫描读取电压依次读取储存在被选存储块中的多个页中的数据；以及

分析所读取的数据。

4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

响应于表示被选存储块中的所有页都是编程页的分析结果，将被选存储块确定为编程块。

5.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

响应于表示被选存储块中的所有页是都擦除页的分析结果，将被选存储块确定为擦除块。

6.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

响应于被选存储块中包括编程页和擦除页两者的分析结果，将被选块确定为开放块。

7.一种操作包括多个存储块的半导体存储装置的方法，所述多个存储块中的每一者均包括多个存储单元，每个存储单元均储存至少两位数据，所述方法包括以下步骤：

从控制器接收读取命令；

检查所接收的读取命令的类型；以及

通过基于所述读取命令的类型选择性地使用扫描读取电压或者正常读取电压集来对与所述读取命令对应的页进行数据读取操作。

8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：

将所读取的数据传输到所述控制器。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，通过基于所述读取命令的类型选择性地使用扫描读取电压或正常读取电压集来对与所述读取命令对应的页进行数据读取操作的步骤包括以下步骤：

响应于表示所述读取命令的类型是单层单元SLC读取命令的确定，使用所述扫描读取电压从与所述读取命令对应的页读取数据。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述扫描读取电压使得所述存储单元的擦除状态和至少一个编程状态能够相互区分。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，通过基于所述读取命令的类型选择性地使用扫描读取电压或正常读取电压集来对与所述读取命令对应的页进行数据读取操作的步骤包括以下步骤：

响应于表示所述读取命令的类型为正常读取命令的确定，使用所述正常读取电压集从与所述读取命令对应的页读取数据。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述多个存储单元中的每一者均储存两位数据，并且

所述正常读取电压集是用于读取储存在被选页中的最低有效位LSB页数据的第一读取电压集和用于读取存储在被选页中的最高有效位MSB页数据的第二读取电压集中的至少一者。