[发明专利]一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺

说明书

本发明提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺，通过在烧结炉内的承烧板铺上1‑4层环型素胚垫环，每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂，形成环型垫进行放置ITO靶筒素胚来进行烧结，解决了单节烧结长度变形、开裂问题，在行业技术取得革命性的变化，提升了客户使用良率，降低了成本。

技术领域

本发明涉及ITO靶材烧结制备领域，尤其涉及一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺。

背景技术

ITO靶材主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。单节长靶材可以减少拼接数，降低镀膜仓体内的颗粒，提升镀膜良率。但是单节长旋转ITO靶材重量大。

现有技术专利CN 111023838 A公开了一种管状旋转陶瓷靶材的烧结方法，通过将管状旋转陶瓷靶材生坯置于存在滑移面的滑移部分上进行烧结，促进靶材的充分烧结，且滑移面相对于水平面的倾斜角为10°-50°，可极大的降低靶材生坯在烧结时因收缩导致与承烧板的摩擦力。该专利靶材长度为为600-1500mm，外圆直径120-220mm，受力面较大。而目前需要对600mm-1500mm、厚度为8-15mm的ITO靶材进行烧结，该种靶材受力点小，现在的烧结工艺在烧结过程中容易产生变形开裂，因此研发单节长度烧结技术，尤为重要。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺，通过在烧结炉内的承烧板铺上1-4层环型素胚垫环，每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂，形成环型垫进行放置 ITO靶筒素胚来进行烧结，解决了单节烧结长度变形、开裂问题，在行业技术取得革命性的变化，提升了客户使用良率，降低了成本。

本发明的目的是提供一种单节长旋转ITO靶材烧结制备工艺，在烧结炉底座放一块中间挖好孔的材质为氧化铝承烧板，之后承烧板在铺上1-4层环型素胚垫环，每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂，形成环型垫，环型素胚垫环中间孔与承烧板中间孔位置重合；最后将ITO靶筒素胚放置到环型垫上进行烧结。

进一步改进在于：所述环型素胚垫环为与ITO靶材内外径大小一致的，厚度为10-25mm的环型素胚垫环。

进一步改进在于：所述ITO靶筒素胚为长度600mm-1500mm、厚度为8-15mm的ITO靶筒素胚。

进一步改进在于：所述烧结炉上下两层硅钼棒，均匀分布在炉膛一周来进行分段控制加热源的输出；炉壁采用多层陶瓷纤维板防止漏热，底部及侧面四周均匀分布氧气进气口，侧面进气口分上、中、下三层，顶部设置出气孔，确保炉膛内氧气量及均匀性。

进一步改进在于：烧结采用烧结曲线进行烧结，曲线温度分配如下：

（一）0℃升温到600℃，升温6小时，保温15小时；

（二）600℃升温到1200℃以上，升温6小时，保温16个小时，此过程开始通过氧气，氧气流量20L/min；

（三）1200℃升温到1580℃，升温6小时，保温20小时；

（四）1580℃降温到1400℃，降温6小时；

（五）1400℃降温到1000℃，降温8小时，此过程开始断氧；

（六）1000℃后开始通入空气，加速冷却，直到出炉。

本发明的有益效果：本发明通过在烧结炉内的承烧板铺上1-4层环型素胚垫环，每个环型素胚垫环上下两侧均铺有球型石英砂，形成环型垫进行放置 ITO靶筒素胚来进行烧结，环型垫的每层环型素胚垫环在支撑过程中同步收缩，解决了单节烧结长度变形、开裂问题，在行业技术取得革命性的变化，提升了客户使用良率，降低了成本。

并且本发明烧结炉采用的设计可以确保炉膛内氧气量及均匀性。采用专门的烧结曲线进行烧结，使得长度600-1500mm规格长度靶材，厚度6-12mm规格靶材可以达到密度≥99.7%，纯度≥99.99%；电阻率≤1.7mΩ.cm，靶筒变形量小。