[发明专利]阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202110474070.0 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113345915A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 栗芳芳;陆相晚;郭威;操彬彬;陈鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1339;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
本申请实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,该阵列基板包括有机膜层,其中,用于实现第一金属结构和第二金属结构搭接的第一搭接孔贯穿该有机膜层,通过利用第一隔垫物将GOA区域的第一搭接孔进行填充,能够防止在高温高湿信赖性评价中水汽经由第一搭接孔进入有机膜层,从而提升阵列基板的抗水氧入侵能力以提升包含有机膜层的产品的信赖性;并且,由于第一隔垫物和常规隔垫物可同时形成,因此无需再增加工序,能够有效控制生产成本。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着对显示面板窄边框的要求逐步提升,对于液晶显示面板来说,需要阵列基板的栅极驱动电路(Gate Driver on Array,GOA)所占的区域需要缩减,这使得GOA电路中的薄膜晶体管的栅极与源漏极的搭接孔位置越发靠近显示面板的边缘,这增加了显示面板在高温高湿信赖性评价中水汽侵蚀栅极与源漏极的搭接孔的风险,从而导致GOA特性变差,造成显示异常。
现有技术通常采用的方案是增加一个绝缘层(即增加一道mask)来保护上述搭接孔,但会增加产品的生产成本。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置,在满足窄边框要求的同时,无需再增加mask,有利于降低生产成本。
第一个方面,本申请实施例提供了一种阵列基板,包括显示区和位于所述显示区周围的边框区,所述边框区包括栅极驱动电路区,所述阵列基板包括:
衬底;
第一金属层,位于所述衬底的一侧,包括多个第一金属结构;
第二金属层,位于所述第一金属层远离所述衬底的一侧,包括多个第二金属结构;
有机膜层,位于所述第二金属层远离所述衬底的一侧;
多个贯穿所述有机膜层的第一搭接孔以使所述第一金属结构暴露,多个贯穿所述有机膜层的第二搭接孔以使所述第二金属结构暴露;
搭接层,位于所述有机膜层远离所述衬底的一侧且包括多个搭接结构,所述搭接结构通过所述第一搭接孔与相应的所述第一金属结构,且通过所述第二搭接孔与相应的所述第二金属结构搭接;
多个隔垫物,位于所述搭接结构远离所述衬底的一侧,所述多个隔垫物包括第一隔垫物,所述第一隔垫物位于所述栅极驱动电路区且每个所述第一隔垫物填充一个所述第一搭接孔。
可选地,所述阵列基板还包括:第一绝缘层,位于所述第一金属层和所述第二金属层之间;第二绝缘层,位于所述有机膜层和所述搭接层之间;所述有机膜层设置有贯穿所述有机膜层的第一贯穿孔和第二贯穿孔,所述第二绝缘层覆盖所述第一贯穿孔和所述第二贯穿孔的侧壁,且所述第一搭接孔在所述衬底上的正投影位于所述第一贯穿孔在所述衬底上的正投影内,所述第二搭接孔在所述衬底上的正投影位于所述第二贯穿孔在所述衬底上的正投影内。
可选地,所述多个隔垫物还包括第二隔垫物,所述第二隔垫物位于所述显示区且填充一个所述第一搭接孔。
可选地,所述第一金属层为栅极层,所述第一金属结构包括栅极,所述第二金属层为源漏电极层,所述第二金属结构包括源电极和漏电极。
可选地,所述搭接层还包括第一电极,所述阵列基板还包括:电极层,位于所述有机膜层和所述第二绝缘层之间,且包括第二电极;所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极,或者所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
第二个方面,本申请实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括行述的阵列基板。
第三个方面,本申请实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的