[发明专利]马赫曾德尔电光调制器及调制方法有效
申请号: | 202110474166.7 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113126332B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 韩海龙;刘晓平;李凌云;原蒲升;尤立星 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02F1/035 |
代理公司: | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人: | 钱文斌 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 马赫 曾德尔 电光 调制器 调制 方法 | ||
1.一种马赫曾德尔电光调制器,其特征在于,所述电光调制器包括:
第一2×2MMI结构、第二2×2MMI结构及2个相位调制臂,所述相位调制臂位于所述第一2×2MMI结构及第二2×2MMI结构之间,且所述相位调制臂的两侧具有DC电极及RF电极,以通过所述DC电极对所述第一2×2MMI结构分成的两束光进行偏置,并通过所述RF电极施加调制信号,以构成包括1个输入光波导及3个输出光波导的电光调制器;
其中,所述电光调制器位于第一环境中,3个所述输出光波导分别与位于第二环境中的3个输出光纤耦合,且所述第一环境中的温度小于所述第二环境中的温度。
2.根据权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器,其特征在于:所述第二环境中的温度为20℃~25℃。
3.根据权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器,其特征在于:所述第一环境中的温度为0℃以下。
4.根据权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器,其特征在于:所述电光调制器包括铌酸锂电光调制器、硅电光调制器及氮化硅电光调制器中的一种。
5.根据权利要求1所述的马赫曾德尔电光调制器,其特征在于:所述电光调制器包括应用于单磁通量子信号的电光调制器或应用于超导量子计算的电光调制器。
6.一种马赫曾德尔电光调制器的调制方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供马赫曾德尔电光调制器,包括第一2×2MMI结构、第二2×2MMI结构及2个相位调制臂,所述相位调制臂位于所述第一2×2MMI结构及第二2×2MMI结构之间,且所述相位调制臂的两侧具有DC电极及RF电极,以构成包括1个输入光波导及3个输出光波导的电光调制器,且所述电光调制器位于第一环境中;
将3个输出光纤与3个所述输出光波导耦合,3个所述输出光纤均位于第二环境中,且所述第一环境中的温度小于所述第二环境中的温度;
调整所述DC电极,对所述第一2×2MMI结构分成的两束光进行偏置,使得所述电光调制器偏置在工作区域,以使所述第二2×2MMI结构中的第一输出光波导输出最小光强;
通过所述RF电极施加调制信号,进行调制,采集所述第一输出光波导输出的光波,以将所述调制信号转换成光信号输出。
7.根据权利要求6所述的马赫曾德尔电光调制器的调制方法,其特征在于:所述第二环境中的温度为20℃~25℃。
8.根据权利要求6所述的马赫曾德尔电光调制器的调制方法,其特征在于:所述第一环境中的温度为0℃以下。
9.根据权利要求6所述的马赫曾德尔电光调制器的调制方法,其特征在于:所述电光调制器包括铌酸锂电光调制器、硅电光调制器及氮化硅电光调制器中的一种。
10.根据权利要求6所述的马赫曾德尔电光调制器的调制方法,其特征在于:所述电光调制器包括应用于单磁通量子信号的电光调制器或应用于超导量子计算的电光调制器。
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