[发明专利]一种应用于CMOS工艺的分形结构片上天线有效
| 申请号： | 202110475059.6 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113193333B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 唐红艳;官鑫;徐文成张;吴韵秋;康凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q5/10;H01Q9/04;H01Q15/14;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 cmos 工艺 结构 天线 | ||
1.一种应用于CMOS工艺的分形结构片上天线，包括：从下往上依次层叠的接地层(1)、硅衬底层(2)、二氧化硅层(3)及钝化层(4)；其特征在于，所述二氧化硅层(3)中设置有分形天线(5)与人工磁导体结构(6)，且人工磁导体结构(6)位于分形天线(5)的下方；所述钝化层(4)上还设置有介质谐振器(7)；
所述分形天线包括：辐射贴片(8)、馈线(9)以及GSG结构(10)，所述辐射贴片通过馈线连接到GSG焊盘的信号端；所述辐射贴片由共顶点设置的第五切角菱形贴片(8-5)、第四切角菱形贴片(8-4)、第二切角菱形贴片(8-2)、第一切角菱形贴片(8-1)与第三切角菱形贴片(8-3)沿顺时针方向依次拼接构成，每个切角菱形贴片的顶角均为72°，第五、第四、第三、第二切角菱形贴片的边长分别为第一切角菱形贴片的边长的5、4、3、2倍。
2.按权利要求1所述应用于CMOS工艺的分形结构片上天线，其特征在于，切角菱形贴片由菱形贴片沿顶角切扇形切角形成，扇形切角的圆心角为72°、且与菱形贴片的顶角重合，扇形切角的边长与菱形贴片的边长相等。
3.按权利要求1所述应用于CMOS工艺的分形结构片上天线，其特征在于，所述人工磁导体结构由若干个呈矩阵排列的人工磁导体单元(6-1)构成，且任意相邻人工磁导体单元间的间距相同。
4.按权利要求1所述应用于CMOS工艺的分形结构片上天线，其特征在于，所述人工磁导体单元呈正方形金属环状、且四角均切相同尺寸正方形切角，所述正方形切角的边长小于金属环的环宽。
5.按权利要求1所述应用于CMOS工艺的分形结构片上天线，其特征在于，所述介质谐振器为矩形陶瓷介质块。
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