[发明专利]一种光电放大集成三极管芯片

权利要求书

1.一种光电放大集成三极管芯片，其特征在于，包括：

光电二极管单元，所述光电二极管单元包括光电二极管，所述光电二极管包括PIN结构光电二极管或PN结构光电二极管；

比例电流镜单元，所述比例电流镜单元以所述光电二极管单元的P型层或N型层作为衬底；且所述光电二极管单元与所述比例电流镜单元电连接。

2.根据权利要求1所述的光电放大集成三极管芯片，其特征在于，

所述比例电流镜单元包括多个三极管，所述多个三极管包括接收三极管和多个放大三极管；

所述接收三极管的集电极和基极电连接；所述光电二极管与所述接收三极管电连接的N型层或P型层上设置有第一重掺杂区和多个第二重掺杂区，所述第一重掺杂区与所在层的导电类型相同，所述多个第二重掺杂区的导电类型与所在层的导电类型相反，所述多个第二重掺杂区分别位于各个三极管的集电极和发射极对应的位置；所述第一重掺杂区上设置有引出电极，所述接收三极管的集电极与所述引出电极电连接；自所述光电二极管的P型层或N型层引出所述光电放大集成三极管芯片的基极；

所述多个放大三极管中的每一个的集电极通过走线电连接，并引出所述光电放大集成三极管芯片的集电极；所述多个放大三极管中的每一个的基极通过走线电连接；所述多个放大三极管中的每一个的发射极通过走线电连接，并引出所述光电放大集成三极管芯片的发射极；

所述接收三极管的基极与所述多个放大三极管的全部基极电连接；所述接收三极管的发射极与所述多个放大三极管的全部发射极电连接。

3.根据权利要求2所述的光电放大集成三极管芯片，其特征在于，

全部所述多个三极管均为NPN型三极管，全部所述多个三极管以所述光电二极管的P型层作为衬底；或全部所述多个三极管均为PNP型三极管，全部所述多个三极管以所述光电二极管的N型层作为衬底；

优选的，全部所述多个三极管为材料、尺寸、规格均相同的三极管。

4.根据权利要求1所述的光电放大集成三极管芯片，其特征在于，

所述比例电流镜单元包括多个MOS管，所述多个MOS管包括接收MOS管和多个放大MOS管；

所述接收MOS管的漏极和栅极电连接；所述光电二极管与所述接收MOS管电连接的N型层或P型层上设置有第一重掺杂区和多个第二重掺杂区，所述第一重掺杂区与所在层的导电类型相同，所述多个第二重掺杂区的导电类型与所在层的导电类型相反，所述多个第二重掺杂区分别位于各个MOS管的源极和漏极对应的位置；所述第一重掺杂区上设置有引出电极，所述接收MOS管的漏极与所述引出电极电连接；自所述光电二极管的P型层或N型层引出所述光电放大集成三极管芯片的基极；

所述多个放大MOS管中的每一个的漏极通过走线电连接，并引出所述光电放大集成三极管芯片的集电极；所述多个放大MOS管中的每一个的栅极通过走线电连接；所述多个放大MOS管中的每一个的源极通过走线电连接，并引出所述光电放大集成三极管芯片的发射极；

所述接收MOS管的栅极与所述多个放大MOS管的全部栅极电连接；所述接收MOS管的源极与所述多个放大MOS管的全部源极电连接。

5.根据权利要求4所述的光电放大集成三极管芯片，其特征在于，

全部所述多个MOS管均为NMOS管，全部所述多个MOS管以所述光电二极管的P型层作为衬底；或全部所述多个MOS管均为PMOS管，全部所述多个MOS管以所述光电二极管的N型层作为衬底；

优选的，全部所述多个MOS管为材料、尺寸、规格均相同的MOS管。

6.根据权利要求5所述的光电放大集成三极管芯片，其特征在于，

全部所述多个MOS管的漏极呈环形排布；

全部所述多个MOS管的栅极呈环形排布；

全部所述多个MOS管的源极呈环形排布；

所述全部多个MOS管的漏极排布成的环、所述全部多个MOS管的栅极排布成的环、所述全部多个MOS管的源极排布成的环为同心环。