[发明专利]树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110475544.3 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113161228A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王筱姗;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 树脂 光致抗蚀剂 组合 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层；
将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案；以及
通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案化的光致抗蚀剂，
其中所述光致抗蚀剂组合物包含：
光活性化合物；以及
树脂，所述树脂包含自由基活性官能团和酸不稳定基团。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，所述方法还包括去除所述基板的通过所述图案化的光致抗蚀剂暴露的部分。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述树脂还包含将所述自由基活性官能团连接至所述树脂的一个或多个连接基基团。
4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述一个或多个连接基基团是选自由以下项组成的组中的一者或多者：C1-C10饱和或不饱和的直链、支链或环状烷基，以及吸电子基团。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述酸不稳定基团是C1-C20直链、支链或环状烷基。
6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述自由基活性官能团附接至所述酸不稳定基团。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述树脂还包含羟基苯乙烯单体单元。
8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述自由基活性官能团是烯烃基团或炔烃基团。
9.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：
光活性化合物；以及
树脂，所述树脂包含自由基活性官能团和酸不稳定基团。
10.一种树脂，所述树脂包含具有自由基活性官能团和酸不稳定基团的单体单元，其中所述自由基活性官能团是烯烃基团或炔烃基团。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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