[发明专利]谐振器及其形成方法、电子设备

权利要求书

1.一种谐振器的形成方法，该谐振器具有梁结构，其特征在于，该方法包括：

对于包括顶硅层、埋氧层和底硅层的SOI晶圆，在所述顶硅层之上依次形成图形化的压电层和底电极；

将当前半导体结构倒置后键合到下硅帽之上，其中，当前半导体结构与所述下硅帽之间构成下空腔；

去除所述底硅层；

形成所述梁结构，其中，所述顶硅层作为所述梁结构的从动层；

将上硅帽键合到当前半导体结构上，其中，当前半导体结构与所述上硅帽之间构成上空腔。

2.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在形成所述梁结构的步骤之后，并且在将上硅帽键合到当前半导体结构上的步骤之前，还包括：去除所述梁结构之上的所述埋氧层。

3.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述梁结构为悬臂梁或者固支梁，或者包含悬臂梁或者固支梁的多梁结构。

4.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述梁结构与所述上硅帽之间以及所述梁结构与所述下硅帽之间均通过键合方式连接。

5.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，

在去除所述底硅层的步骤之后，并且在形成所述梁结构的步骤之前，还包括：形成贯穿所述顶硅层和埋氧层的电极连接；以及，

在将上硅帽键合到当前半导体结构上的步骤之后，还包括：在所述上硅帽中形成上金属连接区，其中所述上金属连接区与所述电极连接接触。

6.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，

在将当前半导体结构倒置后键合到下硅帽之上的步骤之前，还包括：在所述下硅帽中形成下金属连接区；以及，

所述将当前半导体结构倒置后键合到下硅帽之上的步骤包括：将当前半导体结构倒置后，所述半导体结构的顶电极和/或底电极连接到所述下金属连接区。

7.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述上硅帽的内侧和/或所述下硅帽的内侧形成吸气层。

8.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在形成所述压电层的步骤之前，还包括：在所述顶硅层之上形成图形化的顶电极。

9.根据权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述顶硅层为掺杂硅且掺杂浓度大于10¹⁹cm^-3。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述上空腔和所述下空腔的高度为：10微米至200微米。

11.一种谐振器，其特征在于，包括：

梁结构，所述梁结构包括从上到下的从动层、压电层和底电极，其中所述从动层包含硅层；

下硅帽，所述下硅帽与所述梁结构之间构成下空腔；

上硅帽，所述上硅帽与所述梁结构之间构成上空腔，

其中，所述梁结构与所述上硅帽之间具有第一键合层，所述梁结构与所述下硅帽之间具有第二键合层。

12.根据权利要求11所述的谐振器，其特征在于，还包括：位于所述从动层之上的埋氧层。

13.根据权利要求11所述的谐振器，其特征在于，所述梁结构为悬臂梁或者固支梁，或者包含悬臂梁或者固支梁的多梁结构。

14.根据权利要求13所述的谐振器，其特征在于，所述第一键合层或/和所述第二键合层为金属键合层。

15.根据权利要求11所述的谐振器，其特征在于，还包括：贯穿所述从动层的电极连接；以及位于所述上硅帽中的上金属连接区，其中所述上金属连接区与所述电极连接接触。