[发明专利]进气机构和半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种进气机构和半导体工艺设备，所述进气机构包括第一盖体和第二盖体，所述第一盖体与所述第二盖体连接，配合构成一混气腔；所述第一盖体的顶部设有与所述混气腔连通的进气孔，所述第二盖体的底部设有多个与所述混气腔连通的安装槽，所述安装槽的底部设有出气孔，所述出气孔连通所述安装槽和所述工艺腔室的工艺腔，至少一个所述安装槽内设置有调节件，所述调节件用于调节所述出气孔的有效出气截面积。上述技术方案提供的进气机构能够缓解目前半导体加工过程中工艺均匀性调节手段较少的问题。

技术领域

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种进气机构和半导体工艺设备。

背景技术

为提升产品性能，在加工半导体时，对刻蚀等工艺均匀性的要求也越来越高。而影响工艺均匀性的因素有很多，包括气体分布情况和温度分布情况等，对应地，可以通过改变气体分布或温度分布等情况，实现调节工艺均匀性的目的。但是，影响工艺均匀性的因素中，大多数受限于设备本身而无法调节。以气体分布情况为例，目前的半导体设备中，通常借助进气机构向工艺腔内输送工艺气体，进气机构通常设有一个进气孔和多个出气孔，通过多个出气孔向工艺腔输送工艺气体，由于出气孔的位置和截面积通常为固定地，且各出气孔一并接收来自同一进气孔的工艺气体，导致多个出气孔对应于工艺腔中的多个不同区域的气体流量无法单独调节，限缩了半导体加工过程中工艺均匀性的调节手段。

发明内容

本申请公开一种进气机构和半导体工艺设备，能够缓解目前半导体加工过程中工艺均匀性调节手段较少的问题。

为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：

第一方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备中工艺腔室的进气机构，其包括：第一盖体和第二盖体，所述第一盖体与所述第二盖体连接，配合构成一混气腔；

所述第一盖体的顶部设有与所述混气腔连通的进气孔，所述第二盖体的底部设有多个与所述混气腔连通的安装槽，所述安装槽的底部设有出气孔，所述出气孔连通所述安装槽和所述工艺腔室的工艺腔，至少一个所述安装槽内设置有调节件，所述调节件用于调节所述出气孔的有效出气截面积。

第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室和上述进气机构。

本申请公开一种进气机构和半导体工艺设备，进气机构能够与半导体工艺设备中的工艺腔连通，以向工艺腔内输送工艺气体。进气机构包括第一盖体和第二盖体，第一盖体和第二盖体连接，配合构成一混气腔。第一盖体的顶部设有与混气腔连通的进气孔，第二盖体的底部设有多个与混气腔连通的安装槽，安装槽的底部设有出气孔，出气孔连通安装槽和工艺腔，从而使半导体工艺设备之外的工艺气体能够通过进气孔经混气腔、安装槽和出气孔被通入至工艺腔之内，实现通过进气机构向工艺腔内输送工艺气体的目的。并且，至少一个安装槽内设有调节件，调节件能够调节出气孔的有效出气截面积，从而在调节件的调节下，通过改变出气孔的有效出气截面积，进而改变该出气孔的出气速率，实现改变工艺腔中对应位置处的气体分布情况的目的，以通过改变气体分布情况的方式，调节半导体的工艺均匀性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是本申请实施例公开的进气机构的结构示意图；

图2是图1示出的结构沿A-A向的剖面示意图；

图3是本申请实施例公开的进气机构中包括调节件的部分结构的示意图；

图4是本申请实施例公开的进气机构中调节件在另一方向上的示意图；

图5是本申请实施例公开的进气机构中第二盖体的结构示意图；

图6是本申请实施例公开的进气机构中第二盖体的剖面示意图；