[发明专利]一种OAM发生器在审
申请号: | 202110476444.2 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113113780A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 王世伟;刘柏杨;李银;葛建华;黄杰;吴本涛;袁素华;邓玉龙;王锐;朱刚;黄冠龙 | 申请(专利权)人: | 广州智讯通信系统有限公司 |
主分类号: | H01Q15/14 | 分类号: | H01Q15/14 |
代理公司: | 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 | 代理人: | 王利彬 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oam 发生器 | ||
1.一种OAM发生器,其特征在于,包括阵列基板(1)、极化栅(2)和激励源(3),所述极化栅(2)间隔地设置于所述阵列基板(1)的一侧,所述激励源(3)设置于所述阵列基板(1),所述激励源(3)用于向所述极化栅(2)发出馈入波,所述馈入波经过所述极化栅(2)反射后由所述阵列基板(1)反射并穿过所述极化栅(2);
所述阵列基板(1)包括控制器(11)和多个间隔设置的反射阵元(12),所述反射阵元(12)包括包括依次叠置的反射层(121)、接地层(122)和偏压层(123),所述反射层(121)靠近所述极化栅(2),所述反射层(121)电连接于所述接地层(122)和所述偏压层(123),所述偏压层(123)电连接于所述控制器(11),所述控制器(11)用于控制所述偏压层(123)的电压,以使所述反射层(121)处于不同的极化状态。
2.根据权利要求1所述的OAM发生器,其特征在于,所述反射层(121)的靠近所述极化栅(2)的一侧贴设反射贴片(1211),所述反射贴片(1211)包括位于中部的主体部及自所述主体部朝外延伸的两极化端子,所述主体部电连接于所述接地层(122),所述极化端子电连接于所述偏压层(123)。
3.根据权利要求2所述的OAM发生器,其特征在于,两所述极化端子分别包括一pin二极管,两所述pin二极管与所述主体部相连端的方向相反;
所述偏压层(123)包括两径向截片(1231)、连接线(1232)和偏压线(1233),两所述径向截片(1231)分别和两所述pin二极管相连,所述连接线(1232)连接于两所述径向截片(1231),所述偏压线(1233)连接所述连接线(1232)和所述控制器(11)。
4.根据权利要求3所述的OAM发生器,其特征在于,所述主体部为圆形,两所述极化端子的延伸方向之间的夹角为90°,所述主体部的半径和所述极化端子的长度的比值范围在1.3-3之间。
5.根据权利要求4所述的OAM发生器,其特征在于,两所述径向截片(1231)为扇形且对称设置,所述偏压线(1233)电连接于所述连接线(1232)的中部,所述径向截片(1231)的半径和所述主体部的半径的比值范围在0.5-1之间。
6.根据权利要求1所述的OAM发生器,其特征在于,所述反射阵元(12)还包括设置于所述接地层(122)和所述偏压层(123)之间的中间基层(124),所述中间基层(124)和所述反射层(121)的比值范围在0.05-0.1之间,所述偏压层(123)的厚度和所述反射层(121)的比值范围在0.2-0.8之间。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的OAM发生器,其特征在于,各所述反射阵元(12)环绕设置于所述激励源(3)外。
8.根据权利要求7所述的OAM发生器,其特征在于,所述激励源(3)包括位于中心的馈电贴片(31)和对称地设置于所述馈电贴片(31)的两侧的辐射贴片(32),所述馈电贴片(31)的角部位置具有缺口。
9.根据权利要求7所述的OAM发生器,其特征在于,所述激励源(3)的相位中心位于所述阵列基板(1)的焦距处。
10.根据权利要求7所述的OAM发生器,其特征在于,各所述反射阵元(12)沿第一方向间隔排列,各所述反射阵元(12)沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔排列,并且,各所述反射阵元(12)以所述激励源(3)为中心呈中心对称排布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州智讯通信系统有限公司,未经广州智讯通信系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110476444.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。