[发明专利]一种磁控溅射平面阴极装置在审

专利信息
申请号: 202110476838.8 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113122814A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 谢斌 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 苗娟
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 平面 阴极 装置
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射平面阴极装置,包含磁体组(2)和磁轭(3),在使用时配合靶材(1)设置,磁体组(2)固定在磁轭(3)上置于磁轭(3)和靶材(1)之间,其中,磁体组(2)包括位于磁轭中部的中心磁铁和位于磁轭边缘的外侧磁铁,磁体磁化极轴垂直于靶材(1)平面,外侧磁铁磁极方向相同,外侧磁铁与中心磁铁磁极相反,外侧磁铁由磁轭与中心磁铁连接形成闭合磁回路,并在靶材表面形成磁场从而约束等离子体;

其特征在于:

所述磁体组(2)包括三套磁体组,分别是直道区磁体组(5)、过渡区磁体组(6)及环形区磁体组(7),过渡区磁体组(6)衔接直道区磁体组(5)和环形区磁体组(7);

所述直道区磁体组(5)和过渡区磁体组(6)分别包含一组中心磁铁和两组外侧磁铁,环形区磁体组(7)包含一组中心磁铁和一组外环磁铁;

直道区磁体组(5)的外侧磁体的间距为d1,环形区磁体组(7)的外环磁铁直径为d2,则d2d1。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射平面阴极装置,其特征在于:过渡区磁体组(6)外侧磁体在与直道区磁体组(5)相接处的间距为d1,过渡区磁体组(6)外侧磁体与环形区磁体组(7)相接处的间距为d2。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射平面阴极装置,其特征在于:d2:d1=1.02~1.1:1。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射平面阴极装置,其特征在于:所述过渡区磁体组(6)的长度为d3;d3:d1=0.15-0.6:1。

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