[发明专利]一种铂金薄膜及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 202110479488.0 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113186528B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 邓道安 | 申请（专利权）人： | 上海铂源微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/40;C23C16/34;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铂金 薄膜 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种铂金薄膜的制备方法，其特征在于，所述铂金薄膜包括衬底，以及依次设置于所述衬底表面的过渡层、铂膜层和保护层；所述铂膜层的厚度为800～1000nm；
所述过渡层的材料包括氮化铝和/或二氧化钛；
所述保护层的材料包括氮化铝和/或二氧化钛；
所述衬底的材料包括氮化铝、二氧化硅或氮化硅；
所述制备方法采用半导体晶圆生产工艺的装置进行，包括：
(1)利用金属有机化学气相沉积方法在衬底表面沉积一层过渡层；
(2)利用磁控溅射方法在所述过渡层表面沉积一层铂膜层；所述沉积过程中氧气的体积含量≥20％；
(3)利用原子层沉积方法在所述铂膜表面沉积一层保护层，经退火得到铂金薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡层的材料为氮化铝；
所述保护层的材料为二氧化钛。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的材料为氮化铝或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡层的厚度为10～18nm；
所述保护层的厚度为1～15nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述退火在保护气氛下进行；
所述保护气氛包括氮气和/或氢气。
6.根据权利要求1～5任一项所述方法制备得到的铂金薄膜在传感器领域中的用途。
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