[发明专利]电容计算方法以及基板的厚度计算方法

权利要求书

1.一种电容计算方法，在显示装置的制造工艺中基于针对蒸镀工艺的蒸镀参数、针对曝光工艺的曝光参数以及针对蚀刻工艺的蚀刻参数计算电容，其中，

所述电容计算方法包括：

利用电容测量装置测量多个测量电容的步骤；

计算针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蒸镀参数的多个蒸镀系数、针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述曝光参数的多个曝光系数以及针对与所述多个测量电容中的每一个相对应的所述蚀刻参数的多个蚀刻系数的步骤；

计算针对所述多个蒸镀系数的校正蒸镀系数、针对所述多个曝光系数的校正曝光系数以及针对所述多个蚀刻系数的校正蚀刻系数的步骤；以及

基于包括所述蒸镀参数、所述校正蒸镀系数、所述曝光参数、所述校正曝光系数、所述蚀刻参数以及所述校正蚀刻系数的电容计算式计算所述电容的步骤。

2.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，

所述多个蒸镀系数、所述多个曝光系数以及所述多个蚀刻系数通过多元回归分析计算。

3.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，

所述校正蒸镀系数、所述校正曝光系数以及所述校正蚀刻系数通过贝叶斯定理计算。

4.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，

在计算所述电容的步骤之后，

比较所述多个测量电容和所述计算的电容，当所述计算的电容在允许范围内时，适用所述电容计算式来进行所述显示装置的所述制造工艺。

5.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，

在计算所述电容的步骤之后，

比较所述多个测量电容和所述计算的电容，当所述计算的电容在允许范围之外时，重新设定所述电容计算式。

6.根据权利要求1所述的电容计算方法，其特征在于，

所述显示装置包括：

有源层；

栅极电极层，配置在所述有源层上，并至少一部分与所述有源层重叠；

源极电极层，配置在所述栅极电极层上，并至少一部分与所述栅极电极层重叠；以及

下电极层，配置在所述源极电极层上，并至少一部分与所述源极电极层重叠。

7.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，

所述电容为所述有源层和所述栅极电极层之间的电容。

8.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，

所述电容为所述栅极电极层和所述源极电极层之间的电容。

9.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，

所述电容为所述源极电极层和所述下电极层之间的电容。

10.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，

所述电容为所述有源层、所述栅极电极层以及所述源极电极层之间的电容。

11.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，

所述电容为所述栅极电极层、所述源极电极层以及所述下电极层之间的电容。

12.根据权利要求6所述的电容计算方法，其特征在于，

所述蒸镀工艺包括化学气相蒸镀工艺，所述蚀刻工艺包括干蚀刻工艺。