[发明专利]具有双层布拉格反射镜的发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，

所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，所述第一布拉格反射镜的反射波长与所述第二布拉格反射镜的反射波长相等，所述第一布拉格反射镜与所述发光层之间的最小距离，等于所述发光层与所述第二布拉格反射镜之间的最小距离，所述发光层与所述第一布拉格反射镜之间的最小距离为2um～5um，

所述p电极覆盖所述p-GaP欧姆接触层远离所述衬底的表面，所述n电极覆盖所述衬底远离所述p-GaP欧姆接触层的一面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜的厚度为1um～3um，所述第二布拉格反射镜的厚度为1um～3um。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜中掺有n型杂质。

4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜中掺杂的n型杂质的浓度为3～5E18cm^-3。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二布拉格反射镜在所述衬底的表面的正投影面积，小于所述p-AlInP限制层在所述衬底的表面的正投影面积，

所述p-GaP欧姆接触层在所述衬底的表面的正投影，与所述第二布拉格反射镜在所述衬底的表面的正投影重合。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外延片还包括位于所述第一布拉格反射镜与n-AlInP限制层之间的AlGaAs窗口层，所述n-AlInP限制层的厚度与所述AlGaAs窗口层的厚度之比为1/20～1/10。

7.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外延片还包括位于p-AlInP限制层与所述第二布拉格反射镜之间的GaP窗口层，所述p-AlInP限制层的厚度与所述GaP窗口层的厚度之比为1/50～1/25。

8.一种双层布拉格反射镜的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长第一布拉格反射镜、n-AlInP限制层、发光层、p-AlInP限制层、第二布拉格反射镜及p-GaP欧姆接触层，

所述第一布拉格反射镜的反射波长与所述第二布拉格反射镜的反射波长相等，所述第一布拉格反射镜与所述发光层之间的最小距离，等于所述发光层与所述第二布拉格反射镜之间的最小距离，所述发光层与所述第一布拉格反射镜之间的最小距离为2um～5um；

在所述p-GaP欧姆接触层远离所述衬底的表面形成p电极，在所述衬底远离所述p-GaP欧姆接触层的一侧的表面上形成n电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在生长所述n-AlInP限制层之前，所述制备方法还包括：

在所述第一布拉格反射镜上生长AlGaAs窗口层；

对所述AlGaAs窗口层的侧壁进行粗化处理。