[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供基板；

提供多个电子集成电路EIC芯片；

提供至少一个光子集成电路PIC芯片，所述PIC芯片具有第一表面，所述至少一个光子集成电路PIC芯片中包括第一PIC芯片；

将多个EIC芯片设置在所述第一PIC芯片的第一表面上；

将设置有多个EIC芯片的第一PIC芯片安装在所述基板上，所述第一PIC芯片的第一表面朝向所述基板。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供多个EIC芯片包括：

提供晶圆，在所述晶圆上确定待形成EIC芯片的多个区域，在各区域形成电子集成电路；

对所述晶圆进行减薄处理；

对所述晶圆进行切割，形成多个EIC芯片。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供多个EIC芯片包括：

确定所述半导体装置的电子集成电路的总图案，并将所述总图案切分成多个子图案；

提供晶圆；

在所述晶圆上确定待形成EIC芯片的多个区域；

按照所述多个子图案在所述晶圆的多个EIC区域上分别形成子集成电路，并对该晶圆进行减薄处理；

按照所述多个EIC区域切割所述晶圆得到多个EIC芯片，使得所述多个EIC芯片的尺寸小于按照所述总图案形成电子集成电路的EIC芯片的尺寸。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过第一键合结构将所述多个EIC芯片设置在所述第一PIC芯片的第一表面上。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将设置有多个EIC芯片的第一PIC芯片安装在所述基板上包括：

通过第二键合结构将所述第一PIC芯片安装在所述基板上。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述EIC芯片相对于所述基板具有间隙。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述间隙填充封装材料。

8.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

电子集成电路EIC芯片；

光子集成电路PIC芯片，所述PIC芯片安装在所述基板上，所述PIC芯片具有第一表面，所述第一表面朝向所述基板；

其中，多个所述EIC芯片设置在单个所述PIC芯片的第一表面上。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，包括多个第一键合结构，所述第一键合结构用于将所述EIC芯片与所述PIC芯片进行电连接。

10.如权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，包括多个第二键合结构，所述多个第二键合结构用于将所述PIC芯片与所述基板进行电连接；至少一个EIC芯片的周围设置有至少一个所述第二键合结构。

11.如权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，包括多个第二键合结构，所述多个第二键合结构用于将所述PIC芯片与所述基板进行电连接；多个所述EIC芯片中包括第一EIC芯片、第二EIC芯片，所述第一EIC芯片、第二EIC芯片之间存在至少一个所述第二键合结构。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述EIC芯片相对于所述基板具有间隙。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述间隙填充有封装材料。