[发明专利]移动数据存储在审

专利信息
申请号: 202110480845.5 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113611350A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 阿密特·伯曼;阿里尔·道布恰克;伊莱·海姆;叶夫根尼·布莱希曼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C8/08;G11C7/12;G06N3/04;G06N3/08;G06N20/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 移动 数据 存储
【说明书】:

提供了移动电子装置、数据编程到存储器装置的方法、从存储器装置读取数据的方法。移动电子装置可包括存储器装置和存储器控制器,存储器控制器包括:纠错码(ECC)编码器,编码数据;约束信道编码器,配置为基于一个或多个约束对ECC编码器的输出编码;强化学习脉冲编程(RLPP)组件,配置为识别用于将数据编程到存储器装置的编程算法;期望最大化(EM)信号处理组件,配置为从存储器装置接收噪声多字线电压向量并利用对数似然比(LLR)值对向量的各个比特分类;约束信道解码器,配置为从EM信号处理组件接收约束向量并生成非约束向量;和ECC解码器,配置为对非约束向量进行解码。机器学习干扰消除组件可基于或独立于来自EM信号处理组件的输入操作。

技术领域

以下总体上涉及数据存储,更具体地,涉及用于移动装置的数据存储。

背景技术

存储器装置是用于存储数据的常用电子组件。NAND闪存装置允许在各个存储器单元中存储若干比特数据,从而提供制造成本和性能的改进。存储多比特数据的存储器单元可被称为多级存储器单元。多级存储器单元将存储器单元的阈值电压范围分割为若干电压状态,并且使用存储器单元电压电平来提取写到存储器单元的数据值。

然而,每存储器单元存储多个比特可减小各个电压状态的动态电压范围,从而使得存储器单元更易受噪声影响。补偿此噪声可能需要增加的计算能力,这可能阻碍移动装置中的性能。因此,本领域中需要用在移动电子装置中的可靠、低功率多单元存储器系统。

发明内容

描述了一种用于移动装置的数据存储的移动电子装置。移动电子装置的实施例可包括:存储器装置;存储器控制器,其包括处理器和内部存储器并且被配置为操作存储器装置,该存储器控制器包括:纠错码(ECC)编码器,其被配置为对数据进行编码以便于编程到存储器装置;约束信道编码器,其被配置为基于一个或多个约束对ECC编码器的输出进行编码以便于编程到存储器装置;强化学习脉冲编程(RLPP)组件,其被配置为识别用于将数据编程到存储器装置的编程算法;约束信道解码器,其被配置为接收约束向量并生成非约束向量;以及ECC解码器,其被配置为将非约束向量解码。一些示例包括期望最大化(EM)信号处理组件,其被配置为从存储器装置接收噪声多字线电压向量并且利用对数似然比(LLR)值对向量的各个比特进行分类。

描述了一种将数据编程到存储器装置的方法。该方法的实施例可接收数据块,基于ECC编码方案对数据块进行编码,基于约束编码方案对数据块进行编码,并且使用RLPP将编码的数据块编程到存储器装置。

描述了一种从存储器装置读取数据的方法。该方法的实施例可从存储器装置读取数据块,使用EM信号处理来处理数据块以利用LLR值对数据块的各个比特进行分类,基于约束编码方案对数据块进行解码,并且基于ECC编码方案对数据块进行解码。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的特征将变得更显而易见。

图1是例示了根据本发明构思的示例性实施例的包括存储器系统的数据处理系统的实现方式的框图。

图2是例示了根据本发明构思的示例性实施例的图1的存储器系统的框图。

图3是根据本发明构思的示例性实施例的图1的非易失性存储器装置的详细框图。

图4是根据本发明构思的示例性实施例的图2的存储器单元阵列的框图。

图5是根据本发明构思的示例性实施例的图4的存储器单元阵列的存储器块的电路图。

图6A示出根据本公开的各方面的存储器控制器的示例。

图6B示出根据本公开的各方面的存储器控制器的另一示例。

图7示出根据本公开的各方面的纠错码(ECC)编码方案的示例。

图8例示了根据本公开的实施例的分层强化学习方案。

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