[发明专利]一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法

权利要求书

1.一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，所述TOPCon钝化接触结构包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的隧穿氧化层和多晶硅层，其特征在于：包括以下步骤：

S1.在同等工艺条件下制备具有TOPCon钝化接触结构的使用品和测定品，并在测定品上增设电介质层：所述使用品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的隧穿氧化层和多晶硅层；所述测定品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的电介质层、隧穿氧化层和多晶硅层，所述使用品中的所述隧穿氧化层和所述多晶硅层分别与所述测定品中的所述隧穿氧化层和所述多晶硅层具有一致性；

S2.对测定品和/或使用品进行数据测定，和/或对数据测定结果进行比对分析，得出最终测定结论。

2.根据权利要求1所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：所述使用品中所述隧穿氧化层的厚度与所述测定品中所述隧穿氧化层的厚度均为0.5～2.0nm。

3.根据权利要求2所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：所述隧穿氧化层采用二氧化硅、氧化钛或者氧化铝中的至少一种。

4.根据权利要求1至3中任一所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：所述测定品中所述电介质层采用绝缘材料制成，所述电介质层厚度为10～280nm。

5.根据权利要求4所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：所述测定品中的所述电介质层采用二氧化硅、氮化硅、碳化硅或者氮化镓中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：采用四探针法对所述测定品中的多晶硅层进行测定，得到所述使用品中的多晶硅层方阻值。

7.根据权利要求4所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：采用电化学微分电容电压法测定所述测定品的掺杂浓度随深度变化的曲线一，通过所述曲线一的截止点得到所述使用品中所述多晶硅层的厚度以及所述隧穿氧化层的位置。

8.根据权利要求7所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：采用电化学微分电容电压法测定所述使用品的掺杂浓度随深度变化的曲线二，将所述曲线一与所述曲线二绘制于同一坐标中，并比对所述曲线一与所述曲线二的走势以验证所述使用品中所述多晶硅层与所述测定品中所述多晶硅层的一致性，当所述曲线一与所述曲线二的走势相重合时，所述测定结果准确可用。

9.根据权利要求1所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：所述多晶硅层为重掺杂多晶硅层，所述多晶硅层的导电类型为N型或者P型，所述多晶硅层的厚度不小于20nm。

10.根据权利要求1所述的TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，其特征在于：所述晶体硅衬底的导电类型为N型或者P型，所述晶体硅衬底的表面形貌平整或者不平整。