[发明专利]一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法在审
申请号: | 202110482752.6 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113206138A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 王国兵;辛宇;韩立静;陈娴 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 精密 掩膜版 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括显示区和围绕所述显示区的边框区;
所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案,所述有机发光像素图案均位于所述显示区;所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案,所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间,所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一像素图案采用激光修补掩膜图案沉积形成,所述第二像素图案采用标准掩膜图案沉积形成。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一像素图案的轮廓线的锯齿程度大于所述第二像素图案的轮廓线的锯齿程度。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一像素图案和所述第二像素图案的边缘区域均包括阴影区,所述第一像素图案中所述阴影区的宽度小于所述第二像素图案中所述阴影区的宽度。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一像素图案和所述第二像素图案的横截面均呈梯形,所述第一像素图案的阴影区的坡度角和所述第二像素图案的阴影区的坡度角在预设的公差范围之内。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板还包括公共有机膜层覆盖区,所述显示区位于所述公共有机膜层覆盖区中;
令同一位置处所述边框区的宽度为L1,所述显示区与所述公共有机膜层覆盖区的边缘的距离为L2,则L1和L2满足:L2/L1<11%。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板还包括电极连接区,所述显示区与所述电极连接区无交叠;
令同一位置处所述边框区的宽度为L1,所述电极连接区与所述显示区的边缘的距离为L3,则L1和L3满足:L3/L1<17%。
8.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板。
9.一种精密掩膜版,其特征在于,包括与显示区对应的蒸镀区以及围绕所述蒸镀区的非蒸镀区;
所述蒸镀区包括多个用于形成像素图案的掩膜图案;所述掩膜图案包括第一掩膜图案和第二掩膜图案,所述第一掩膜图案位于所述非蒸镀区和所述第二掩膜图案之间,所述第一掩膜图案的规格与所述第二掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。
10.根据权利要求9所述的精密掩膜版,其特征在于,所述第一掩膜图案采用蚀刻工艺和激光修补工艺形成,所述第二掩膜图案采用蚀刻工艺形成。
11.根据权利要求9所述的精密掩膜版,其特征在于,所述第一掩膜图案的轮廓线的锯齿程度大于所述第二掩膜图案的轮廓线的锯齿程度。
12.根据权利要求9所述的精密掩膜版,其特征在于,所述第一掩膜图案包括多个第一开口,所述第二掩膜图案包括多个第二开口;在垂直所述精密掩膜版的表面的方向上,所述第一开口和所述第二开口的内壁均包括相互连接且倾斜角度不同的第一侧壁和第二侧壁,且所述第一侧壁的长度大于所述第二侧壁的长度;
所述第一开口中所述第一侧壁与所述精密掩膜版的表面的夹角,与所述第二开口中所述第一侧壁与所述精密掩膜版的表面的夹角在预设的公差范围之内。
13.根据权利要求12所述的精密掩膜版,其特征在于,所述第一开口中所述第一侧壁与所述精密掩膜版的表面的夹角在50°±15°的范围内。
14.根据权利要求12所述的精密掩膜版,其特征在于,所述第一开口中所述第二侧壁与所述精密掩膜版的表面垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的