[发明专利]转移头、转移装置和转移方法

权利要求书

1.一种转移头，其特征在于，所述转移头用于对芯片进行转移，所述转移头包括：

衬底；

多个转移部，所述转移部位于所述衬底上；所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面，所述转移结合面用于与所述芯片粘合；其中，所述转移结合面与所述芯片的结合力可调。

2.根据权利要求1所述的转移头，其特征在于，所述转移结合面的尺寸大小可调，和/或所述转移结合面的粘度可调；

优选地，所述转移部的材料包括形状记忆型高分子材料，以调整所述转移结合面的大小；

优选地，所述转移部的材料包括粘度可调型高分子材料，以调整所述转移结合面的粘度。

3.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括电致变形材料；

优选地，所述电致变形材料包括：热致变形材料和导电材料；

优选地，所述热致变形材料包括：聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚异戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟树脂、聚己酸内酯和聚酰胺中的至少一种；

所述导电材料包括：导电炭黑、金属粉末和导电高分子中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括热致变形材料；

优选地，所述热致变形材料包括：聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚异戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟树脂、聚己酸内酯或聚酰胺中的至少一种；

优选地，所述转移头还包括调温部，所述调温部位于所述衬底和所述转移部之间；或者，所述调温部位于所述衬底远离所述转移部的一侧。

5.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括光致变形材料；

优选地，所述光致变形材料包括高分子材料和光致变色基团；

优选地，所述高分子材料包括：聚乙烯、聚异戊二烯、聚酯、共聚酯、聚酰胺、共聚酰胺和聚氨酯中的至少一种；

所述光致变色基团包括：偶氮苯和螺苯并吡喃中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括化学感应材料；

优选地，所述化学感应材料包括：酸碱度感应材料、平衡离子置换感应材料、螯合反应感应材料、相转变反应感应材料和氧化还原反应感应材料中的至少一种；

优选地，所述化学感应材料包括：部分皂化的聚丙烯酰胺、聚乙烯醇和聚丙烯酸混合物中的至少一种；

优选地，所述转移头还包括光照部，所述光照部位于所述衬底和所述转移部之间；或者，所述光照部位于所述衬底远离所述转移部的一侧。

7.根据权利要求1-6任一项所述的转移头，其特征在于，所述转移部的转移结合面与所述芯片上对应的表面的形状相同；

优选地，所述转移部的材料包括形状记忆型高分子材料，所述转移结合面的尺寸大小可调；在大尺寸状态下的所述转移结合面与所述芯片上对应的表面大小相同，或大于所述芯片上对应的表面；在小尺寸状态下的所述转移结合面小于所述芯片上对应的表面；

或者，所述转移部的材料包括粘度可调型高分子材料，所述转移结合面的粘度可调，所述转移结合面与所述芯片上对应的表面大小相同，或大于所述芯片上对应的表面。

8.一种转移装置，其特征在于，包括：

如权利要求1-7任一项所述的转移头；

条件释放模块，用于向所述转移头提供预设条件，以改变所述转移结合面与所述芯片的结合力。

9.根据权利要求8所述的转移装置，其特征在于，所述条件释放模块包括：电压模块、调温模块、光照模块和化学气体模块中的至少一种。

10.一种转移方法，其特征在于，包括：

提供转移头；所述转移头包括衬底和位于所述衬底上的多个转移部，所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面；

采用所述转移头对位于供给基板上的芯片进行拾取，同时对所述转移头提供第一预设条件，以增大所述转移结合面与所述芯片的结合力；

所述转移头将拾取的所述芯片与背板电极进行对位和结合，同时对所述转移头提供第二预设条件，以减小所述转移结合面与所述芯片的结合力，将所述芯片释放至所述背板上；其中，所述第二预设条件与所述第一预设条件不同。