[发明专利]三维存储器及制造三维存储器的方法

权利要求书

1.一种三维存储器，包括外围电路芯片和与其对应的存储阵列芯片，所述外围电路芯片用于促进三维存储器的信号控制和感测，其特征在于，所述外围电路芯片包括：

第一衬底；

第一电路元件层，设置在所述第一衬底上，并且包括第一器件层和第一连接层，所述第一连接层用于所述第一器件层的信号传输；

第二衬底，设置在所述第一电路元件层上；以及

第二电路元件层，设置在所述第二衬底上，并且包括第二器件层和第二连接层，所述第二连接层用于所述第二器件层的信号传输，

其中，所述第一器件层包括多个第一晶体管，所述第二器件层包括多个第二晶体管，以及

其中，所述多个第一晶体管中的每个的工作电压大于所述多个第二晶体管中的每个的工作电压，

其中，所述第一连接层和所述第二连接层中的每个包括导电材料，所述第一连接层的导电材料的熔点大于或等于所述第二连接层的导电材料的熔点，并且所述第二连接层的导电材料的电阻率小于所述第一连接层的导电材料的电阻率。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述多个第一晶体管中的每个的尺寸大于所述多个第二晶体管中的每个的尺寸。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述第一连接层的导电材料为WSi或TiSi，并且所述第二连接层的导电材料为TiSi或CoSi。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的三维存储器，其中，所述外围电路芯片还包括：

第三衬底，设置在所述第二电路元件层上；以及

第三电路元件层，设置在所述第三衬底上，并且包括第三器件层和第三连接层，所述第三连接层用于所述第三器件层的信号传输。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其中，所述外围电路芯片还包括第一互连层、第二互连层和第三互连层中的至少之一，

其中：

所述第一互连层将所述第一连接层与所述第二连接层电连接，以用于所述第一器件层和所述第二器件层之间的信号传输，

所述第二互连层将所述第三连接层与所述第一连接层和所述第二连接层中的一个连接层电连接，以用于所述第三连接层和所述一个连接层之间的信号传输；以及

所述第三互连层将所述第三连接层与所述第一连接层和所述第二连接层中的另一个连接层电连接，以用于所述第三连接层与所述另一个连接层之间的信号传输。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其中，所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层中的至少之一包括W。

7.根据权利要求4所述的三维存储器，

其中，所述第三器件层包括多个第三晶体管，以及

其中，所述多个第二晶体管中的每个的工作电压大于所述多个第三晶体管中的每个的工作电压。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，所述多个第一晶体管中的每个的尺寸大于所述多个第二晶体管中的每个的尺寸，并且所述多个第二晶体管中的每个的尺寸大于所述多个第三晶体管中的每个的尺寸。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管中的至少一个为金属氧化物半导体场效应晶体管。

10.根据权利要求4所述的三维存储器，

其中，所述第一连接层、所述第二连接层和所述第三连接层中的每个包括导电材料，

其中，所述第二连接层的导电材料的熔点大于或等于所述第三连接层的导电材料的熔点，并且所述第三连接层的导电材料的电阻率小于所述第二连接层的导电材料的电阻率。

11.根据权利要求10所述的三维存储器，其中，所述第一连接层的导电材料为WSi或TiSi，所述第二连接层的导电材料为TiSi或CoSi，并且所述第三连接层的导电材料为NiSi。