[发明专利]一种非熔融超晶格相变薄膜材料

权利要求书

1.一种非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：包括相变层和钉扎层，所述相变层和钉扎层交替堆叠形成周期性结构，所述相变层采用GeTe材料，所述钉扎层采用TiTe₂材料；

工作时，在所述相变层开始发生非熔融相变时，所述钉扎层不会发生相变，以提高所述钉扎层在相变过程中的稳定性。

2.根据权利要求1所述的非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：单层钉扎层的晶体结构为至少两层TiTe₂。

3.根据权利要求1或2所述的非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：单层相变层的晶体结构为三层GeTe晶格。

4.根据权利要求3所述的非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：所述三层GeTe晶格由上至下或由下至上有四种点阵排列方式，分别为Ge-Te-Ge-Te-Ge-Te、Ge-Te-Ge-Te-Te-Ge、Ge-Te-Te-Ge-Ge-Te和Te-Ge-Ge-Te-Ge-Te。

5.根据权利要求4所述的非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：在所述相变层发生非熔融相变过程中，所述三层GeTe晶格在所述四种点阵排列方式之间转变，使得所述非熔融超晶格相变薄膜材料形成四种不同晶体结构。

6.根据权利要求5所述的非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：所述四种不同晶体结构的晶体常数a、b分别为其晶体常数c为或

7.根据权利要求4所述的非熔融超晶格相变薄膜材料，其特征在于：在所述相变层发生非熔融相变过程中，所述三层GeTe晶格在Ge-Te-Ge-Te-Ge-Te和Te-Ge-Ge-Te-Ge-Te这两种点阵排列方式之间转变。