[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置

权利要求书

1.一种复合结构物，包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物，其特征为，

所述结构物作为主成分而含有Y₃Al₅O₁₂，且用下述式(1)：a＝d·(h²+k²+l²)^1/2…(式1)算出的晶格常数a大于

式1中，d为晶格间距，(hkl)为密勒指数。

2.根据权利要求1所述的复合结构物，其特征为，所述晶格常数为以上。

3.根据权利要求1所述的复合结构物，其特征为，所述晶格常数为以上。

4.根据权利要求1所述的复合结构物，其特征为，所述晶格常数为以上。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的复合结构物，其特征为，在标准等离子体试验1之后，满足在离所述结构物的表面30nm的深度处的氟原子浓度F1_30nm小于3％或在离所述表面20nm的深度处的氟原子浓度F1_20nm小于4％的至少任意一个。

6.根据权利要求5所述的复合结构物，其特征为，所述氟原子浓度F1_30nm或所述氟原子浓度F1_20nm的至少任意一个为2％以下。

7.根据权利要求1～4中任意一项所述的复合结构物，其特征为，在标准等离子体试验2之后，满足在离所述结构物的表面30nm深度处的氟原子浓度F2_30nm小于2％或在离所述表面15nm深度处的氟原子浓度F2_15nm小于3％的至少任意一个。

8.根据权利要求7所述的复合结构物，其特征为，满足所述氟原子浓度F2_30nm为1％以下或所述氟原子浓度F2_15nm为2％以下的至少任意一个。

9.根据权利要求1～4中任意一项所述的复合结构物，其特征为，在标准等离子体试验3之后，满足在离所述结构物的表面20nm深度处的氟原子浓度F3_20nm小于8％或在离所述表面10nm深度处的氟原子浓度F3_10nm小于9％的至少任意一个。

10.根据权利要求9所述的复合结构物，其特征为，满足所述氟原子浓度F3_20nm为7％以下或所述氟原子浓度F3_10nm为8％以下的至少任意一个。

11.根据权利要求9所述的复合结构物，其特征为，满足所述氟原子浓度F3_20nm为1％以下或所述氟原子浓度F3_10nm为2％以下的至少任意一个。

12.根据权利要求1～11中任意一项所述的复合结构物，其特征为，在要求抗粒子性的环境中被使用。

13.根据权利要求12所述的复合结构物，其特征为，其为半导体制造装置用构件。

14.一种半导体制造装置，其特征为，具备权利要求1～11中任意一项所述的复合结构物。