[发明专利]一种散热效果好的LED芯片的制备方法有效
| 申请号： | 202110485356.9 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113270531B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 黄剑锋 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/06;H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋亚楠 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 散热 效果 led 芯片 制备 方法 | ||
1.一种散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制作外延层，利用MOCVD设备在衬底上依次生长N型层、MQW层和P型层；
(2)刻蚀外延层，使N型层裸露；
(3)在P型层上溅镀透明导电层；
(4)在透明导电层和裸露的N型层上蒸镀第一PAD层；
(5)在LED芯片表面蒸镀DBR+Al2O3层；
(6)在所述DBR+Al2O3层上局部镀Al层；
(7)在Al层上蒸镀Al2O3+DBR层；
(8)刻蚀DBR，使第一PAD层和Al层裸露；
(9)在LED芯片表面蒸镀第二PAD层。
2.根据权利要求1所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，在LED芯片表面上蒸镀SiO2和ZrO2，再镀Al2O3。
3.根据权利要求2所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，SiO2和ZrO2的周期数为3－5。
4.根据权利要求2所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述SiO2和ZrO2的厚度为0.1μm－1μm，所述Al2O3的厚度为0.05μm－0.1μm。
5.根据权利要求1所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，在Al层上蒸镀Al2O3，再镀SiO2和ZrO2。
6.根据权利要求5所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述SiO2和ZrO2的周期数为15－25。
7.根据权利要求5所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述SiO2和ZrO2的厚度为0.1μm－1μm，所述Al2O3的厚度为0.05μm－0.1μm。
8.根据权利要求1所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一PAD层的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au。
9.根据权利要求1所述的散热效果好的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二PAD层的材质为Cr、Al、Ti、Pt、Au、AuSn。
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