[发明专利]一种光纤传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种光纤传感器，其特征在于，包括：

宽带光源；

第一光子晶体光纤及第二光子晶体光纤，所述第一光子晶体光纤一端与所述宽带光源连接，另一端与循环器第一端口连接；所述第二光子晶体光纤一端与所述循环器第二端口连接；

第三光子晶体光纤，该第三光子晶体光纤一端与所述第二光子晶体光纤另一端连接；其中，所述第三光子晶体光纤在纤芯上设有第一光纤光栅区及第二光纤光栅区，且所述第三光子晶体光纤侧表面具有抛磨区，该抛磨区设置于所述第一光栅区及第二光栅区之间；

第四光子晶体光纤，该第四光子晶体光纤一端与所述循环器第三端口连接，另一端与光谱分析仪连接。

2.根据权利要求1所述的光纤传感器，其特征在于，所述抛磨区包括抛磨平面区、第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区，所述抛磨平面区所在平面平行于所述第三光子晶体光纤的纤芯，所述第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区相对设置于所述抛磨平面区的两端。

3.根据权利要求2所述的光纤传感器，其特征在于，所述第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区所在端面为曲面状。

4.根据权利要求2所述的光纤传感器，其特征在于，所述抛磨区总长度为15-70mm，所述抛磨平面区长度为10-50mm，所述第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区长度范围分别为5-15mm。

5.根据权利要求4所述的光纤传感器，其特征在于，所述第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区在所述第三光子晶体光纤的径向投影长度为40-60um。

6.根据权利要求5所述的光纤传感器，其特征在于，所述第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区在所述第三光子晶体光纤的径向投影长度为56um或58um。

7.根据权利要求1所述的光纤传感器，其特征在于，所述第一光纤光栅区与所述第二光纤光栅区中心之间的轴向长度为1-80mm。

8.根据权利要求1所述的光纤传感器，其特征在于，所述第三光子晶体光纤的直径为125um。

9.一种光纤传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供第一光子晶体光纤、第二光子晶体光纤、第三光子晶体光纤及第四光子晶体光纤；

对所述第三光子晶体光纤侧表面进行抛磨处理，形成抛磨区；

在所述第三光子晶体光纤的纤芯上制作第一光纤光栅区及第二光纤光栅区，所述抛磨区位于所述第一光纤光栅区及第二光纤光栅区之间，形成侧抛光纤光栅法布里-珀罗腔结构；

将宽带光源、所述第一光子晶体光纤、循环器、第二光子晶体光纤、第三光子晶体光纤、第四光子晶体光纤及光谱分析仪依次相连，得到所述光纤传感器。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述第三光子晶体光纤侧表面进行抛磨处理，形成抛磨区，包括：

对所述第三光子晶体光纤侧表面的包层进行抛磨，形成抛磨平面区、第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区，所述抛磨平面区所在平面平行于所述第三光子晶体光纤的纤芯，所述第一抛磨过渡区及第二抛磨过渡区相对设置于所述抛磨平面区的两端。