[发明专利]一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源及其制备方法

权利要求书

1.一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)在镍基片表面镀上金属铂层；

(2)在保护气体保护下，利用脉冲激光以负离焦对镍基片镀有金属铂的表面进行点烧蚀，负离焦烧蚀时激光焦点在镍基片内部，使内部镍金属融化，在镍金属蒸汽的推动作用下流向镍基片表面冷却后形成球壳；

(3)利用化学气相沉积法在镍基底的激光烧蚀形成的球壳上直接生长碳纳米管阴极薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源的制备方法，其特征在于：所述的步骤(3)之后，还设置有步骤(4)：通过电泳法在碳纳米管阴极薄膜上沉积石墨烯，并进行真空高温退火。

3.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源的制备方法，其特征在于：所述的碳纳米管阴极薄膜为多壁碳纳米管阴极薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源的制备方法，其特征在于：脉冲激光烧蚀的参数为：波长1064nm、频率3Hz、输出电流50-150A以及负离焦距离在0.00-0.50mm范围内。

5.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源的制备方法，其特征在于：所述的球壳的直径为≤350μm。

6.一种如权利要求1所述方法所制备的基于碳纳米管的微焦点场发射电子源。