[发明专利]一种TaSi2在审

专利信息
申请号: 202110488058.5 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113149018A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 李明伟;董国华;张庆猛;钟业盛;杨剑民;陈均优;孙宇雷;史丽萍;赫晓东;张文治;何飞 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学;齐齐哈尔大学;有研工程技术研究院有限公司
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 tasi base sub
【权利要求书】:

1.一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于它是按照如下方式进行的:

取TaSi2原粉体,加入浓度为1~5 mol/L的KOH溶液,在室温~90℃水浴锅中搅拌反应2~10h,然后用砂芯漏斗抽滤,超纯水洗至中性,真空干燥后,得提纯后的TaSi2粉体;

其中,TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g:(10~50)mL。

2.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的KOH溶液浓度为2~4 mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的KOH溶液浓度为3~5mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g:(20~40)mL。

5.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g:(10~30)mL。

6.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的反应温度为室温~70℃。

7.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的反应温度为30~50℃。

8.根据权利要求1、6或7所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的室温为22~25℃。

9.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的反应时间为4~8h。

10.根据权利要求1所述的一种TaSi2粉体的提纯方法,其特征在于所述的反应时间为4~6h。

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