[发明专利]非金属吸收渐变薄膜的制备方法、具膜器件和电子产品

权利要求书

1.一种非金属吸收渐变薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

根据目标图样设计膜系组成和镀膜挡板组成，然后在基材上进行镀膜；所述镀膜挡板组成按照目标图样颜色由浅至深依次对应包括全遮挡区、长遮挡区和短遮挡区；

所述膜系组成包括依次叠置于基材上的单晶硅层、氮化硅层和二氧化硅层；所述单晶硅层的厚度为10.2-14.66nm，所述氮化硅层的厚度为13.81-19.85nm，所述二氧化硅层的厚度为52.43-75.37nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述渐变薄膜的厚度为76.44-109.88nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，镀膜时，所述单晶硅层的镀膜速率为0.03-0.08nm/s，所述氮化硅层的镀膜速率为0.13-0.25nm/s，所述二氧化硅层的镀膜速率为0.08-0.24nm/s。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述“根据目标图样设计膜系组成”包括：

根据所述目标图样的颜色选择成膜材料，然后得到波长-反射率设计曲线；

依据所述波长-反射率设计曲线判断成膜材料的选择是否合适，然后确定所述膜系组成。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，镀膜之后还包括：

在所述非金属吸收渐变薄膜的表面喷涂或者丝印白色油墨。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述基材包括陶瓷、玻璃、宝石、PET中的任一种。

7.一种具膜器件，其特征在于，使用权利要求1-6任一项所述的制备方法在基材上制备得到。

8.一种电子产品，其特征在于，包括权利要求7所述的具膜器件。