[发明专利]一种基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法有效

专利信息
申请号: 202110489949.2 申请日: 2021-05-06
公开(公告)号: CN113259115B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 巫金波;赵丽丹;温维佳;张萌颖;薛厂 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H04L9/32 分类号: H04L9/32;C30B29/12;C30B7/06;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/58;B23K26/352;B23K26/362
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 钙钛矿 晶体 制备 密码 方法
【权利要求书】:

1.一种基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法,其特征在于,所述钙钛矿晶体为成分偏析钙钛矿晶体,所述密码原语为二进制编码,所述二进制编码的制备过程为:制备不同的具有成分偏析钙钛矿晶体的芯片,扫描和读取上述钙钛矿晶体芯片上目标阵列的荧光发射光谱,根据上述目标阵列的发射峰数目将阵列图案分为四类:一个发射峰、两个发射峰、三个发射峰、四个及以上发射峰,设定一个发射峰的图案为00,两个发射峰的图案为01,三个发射峰的图案为10,四个及以上发射峰的图案为11的编码规则;将目标阵列上所有图案按上述编码规则转化为0和1组成的二进制编码阵列,即形成该目标阵列的密码原语。

2.根据权利要求1所述基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法,其特征在于,所述成分偏析钙钛矿晶体图案的制备方法包括如下步骤:

步骤一、准备亲疏液基底

对基底表面进行等离子体清洁,然后将2-9μl全氟辛基三乙氧基硅烷放在一个开口小瓶子里,然后和基底一起放在一个密闭的盒子里,再将盒子置于120℃的烘箱中2h,使全氟辛基三乙氧基硅烷蒸镀在基底表面,使基底表面改性形成疏水表面,将上述基底置于紫外纳秒激光雕刻机内进行雕刻,在上述基底的疏水表面上得到亲水图案化阵列,然后将其置于乙醇中超声清洗5分钟后烘干备用;

步骤二、准备前驱体液

所述前驱体液为CsPbClBr2/DMSO、CsPbCl2Br/DMSO、CsPbCl1.5Br1.5/DMSO、CsPbClBrI/DMSO其中之一,浓度为0.1 mol/L;

步骤三、制备前驱体液滴阵列芯片

在手套箱内的稳定环境中,湿度40%,将步骤一获得的亲疏液基底置于冷却板上,冷却板温度为15℃,在冷却板上利用涂布法制备出液滴阵列,其中,所述涂布法为:以经过亲水处理的玻璃刷为工具,将刷头片靠近亲疏液基底表面,在刷头片和基底表面之间滴加步骤二获得的前驱体液,由于毛细管力的作用,前驱体液充满刷头片和基底表面之间,刷头片在外部机械力的作用下平行于基底表面移动,带动前驱体液移动,由于基底的亲水图案化阵列对液滴有钉扎作用,前驱体液在移动过程中在亲水图案化阵列区域形成为独立的前驱体液滴阵列;

步骤四、制备具有成分偏析钙钛矿晶体的芯片

将步骤三获得的前驱体液滴阵列芯片置于恒温恒湿箱内蒸发结晶,湿度为40%,蒸发温度为15-60℃,蒸发4h,然后将基底置于真空烘箱中,在80℃下干燥12h,获得具有成分偏析钙钛矿晶体的芯片。

3.根据权利要求2所述基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法,其特征在于,在步骤四中通过调节蒸发温度获得具有独特形貌纹理的成分偏析钙钛矿晶体。

4.根据权利要求2所述基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法,其特征在于,步骤四中蒸发温度为15-25℃。

5.根据权利要求2所述基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法,其特征在于,步骤三的刷头片在基底表面上移动的速度为200 mm/min。

6.根据权利要求2所述基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法,其特征在于,步骤一所述基底为硅片、玻璃、金属、PET其中一种。

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