[发明专利]量子级联激光器元件

权利要求书

1.一种量子级联激光器元件，其中，

具备：

半导体基板；

活性层，其设置于所述半导体基板上，且形成有通过多级层叠包含发光层及注入层的单位层叠体使所述发光层及所述注入层交替层叠的级联构造；和

第一包覆层，其设置于所述活性层的与所述半导体基板侧相反的一侧，且杂质掺杂浓度小于1×10¹⁷cm^-3，

所述活性层中含有的各所述单位层叠体在其子带能级结构上具有：第一发光上位能级、比所述第一发光上位能级能量级高的第二发光上位能级、比所述第一发光上位能级能量级低的至少一个发光下位能级，

所述活性层被构成为，在各所述单位层叠体中，由所述发光层中的所述第一发光上位能级、所述第二发光上位能级、及所述至少一个的发光下位能级中的至少两个能级间的电子的跃迁，生成中心波长为10μm以上的光。

2.根据权利要求1所述的量子级联激光器元件，其中，

所述第一包覆层的厚度为5μm以上。

3.根据权利要求1或2所述的量子级联激光器元件，其中，

所述半导体基板中的杂质掺杂浓度小于1×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的量子级联激光器元件，其中，

还具备：

设置于所述活性层和所述半导体基板之间的、杂质掺杂浓度小于1×10¹⁷cm^-3的第二包覆层。

5.根据权利要求4所述的量子级联激光器元件，其中，

所述第二包覆层的厚度为5μm以上。

6.根据权利要求4或5所述的量子级联激光器元件，其中，

还具备：

第一电极，设置于相对于所述半导体基板配置有所述活性层的一侧，并且与所述第一包覆层电连接；和

第二电极，设置于夹着所述半导体基板与所述第一电极相反的一侧，并且与所述半导体基板电连接，

所述半导体基板中的杂质掺杂浓度为5×10¹⁵cm^-3以上且小于1×10¹⁷cm^-3。