[发明专利]防止金属-绝缘体-金属（MIM）电容器中铜污染的方法

权利要求书

1.一种包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体结构，包括：

第一金属化层，与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面；

所述MIM电容器包括：

复合电容器底部金属(CBM)电极，包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层；

介电层，布置在所述复合电容器底部金属电极上方；以及

复合电容器顶部金属(CTM)电极，布置在所述介电层上方，并且所述电容器顶部金属电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层；

第二金属化层，位于所述MIM电容器上方；

第一通孔，从所述第二金属化层延伸至所述第一扩散阻挡层内并且与所述第一金属层隔开；

第二通孔，从所述第二金属化层延伸至所述第一金属化层的所述顶面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一通孔到达所述第一扩散阻挡层内的一位置处，所述位置与所述第一和所述第二金属层隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

第三通孔，延伸进所述第二扩散阻挡层并且到达至所述第二扩散阻挡内的一位置处，所述位置与所述第二金属层隔开。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

后端制程(BEOL)堆叠件，包括堆叠在所述MIM电容器的相对两侧上的所述第一金属化层和所述第二金属化层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一金属层和所述第二金属层包括钛(Ti)或氮化钛(TiN)，而所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层包括氮化钽(TaN)或氮化铌(NbN)。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层是非晶金属。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层的厚度为约50埃至200埃。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述MIM电容器还包括：

顶部电极硬掩模，布置在所述复合CTM电极上方；以及

底部电极硬掩模，布置在所述介电层上方，并且衬垫所述顶部电极硬掩模和所述复合CTM电极。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

层间介电(ILD)层，围绕所述MIM电容器；

通孔开口，延伸穿过所述层间介电层进入所述第一扩散阻挡层或所述第二扩散阻挡层并且到达所述第一扩散阻挡层或所述第二扩散阻挡层内的一位置处，所述位置与所述第一金属层和所述第二金属层隔开；以及

第三扩散阻挡层，衬垫所述通孔开口；

其中，所述通孔开口的通孔填充物在所述第三扩散阻挡层上方。

10.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

形成覆盖后端制程(BEOL)堆叠件的第一金属化层的MIM电容器，所述第一金属化层与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面，所述MIM电容器包括覆盖复合电容器底部金属(CBM)电极的复合电容器顶部金属(CTM)电极，并且所述复合电容器底部金属电极和复合电容器顶部金属电极均包括对应的金属层和覆盖所述对应的金属层的对应的扩散阻挡层；

在所述MIM电容器上方形成所述后端制程堆叠件的第二金属化层；

在第一开口内形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔从所述第二金属化层延伸进所述扩散阻挡层的一个扩散阻挡层并且到达所述扩散阻挡层中所述一个扩散阻挡层内的一位置处，所述位置与所述金属层隔开；以及

在第二开口内形成与所述MIM电容器横向隔开并且在所述第一和所述第二金属化层之间延伸的第二通孔，所述第二通孔从所述第二金属化层延伸至所述第一金属化层的所述顶面。