[发明专利]来自像素子集的光子相互作用特性在审
| 申请号： | 202110490251.2 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113625330A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 布雷恩·威廉·哈里斯;富田秀文 | 申请（专利权）人： | 克罗梅克集团公开有限责任公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;A61B6/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 英国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 来自 像素 子集 光子 相互作用 特性 | ||
1.一种方法，包括：
接收在光子检测器像素阵列内发生的光子相互作用，其中所述光子检测器像素阵列包括多个像素；
确定由所述光子相互作用生成的光电子云，其中所述光子检测器像素阵列包括电场，其中静电排斥力使光子分散到所述光电子云；
识别与所述光子相互作用相关联的所述多个像素的子集，其中所述多个像素的子集中的每一个子集与由所述光电子云激活的像素相对应，其中所述多个像素的子集包括中心像素和多个相邻像素，其中所述中心像素包括对所述光子相互作用具有最高幅度响应的像素；以及
根据所述光电子云确定所述光子相互作用的特性，其中所述特性包括以下至少一项：所述相互作用的时间、位置和能量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光子检测器阵列包括在所述光子内生成静电排斥的阳极和阴极。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述中心像素接收负电荷电流感应。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个相邻像素中的每一个像素接收正电荷电流感应。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述正电荷电流感应与所述光电子云的子集成比例。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述特性包括所述光子相互作用的位置，其中确定所述相互作用的位置包括：比较来自至少两个相邻像素的脉冲高度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述特性包括所述光子相互作用的强度，其中所述强度基于对所述中心像素和所述多个相邻像素的响应进行相加。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述特性包括所述光子相互作用的位置，其中确定所述相互作用的位置包括：比较来自至少两个相邻像素的时延。
9.根据权利要求1所述的方法，其中多个响应不与来自所述光子检测器像素阵列的阴极的响应相对应。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光子检测器像素阵列包括像素化半导体检测器阵列，所述像素化半导体检测器包括CdZnTe。
11.一种设备，包括：
光子检测器像素阵列，包括多个像素；
处理器，可操作地耦接到所述光子检测器像素阵列；
存储设备，存储指令，所述指令由所述处理器执行以：
接收在光子检测器像素阵列内发生的光子相互作用，其中所述光子检测器像素阵列包括多个像素；
确定由所述光子相互作用生成的光电子云，其中所述光子检测器像素阵列包括电场，其中静电排斥力使光子分散到所述光电子云；
识别与所述光子相互作用相关联的所述多个像素的子集，其中所述多个像素的子集中的每一个子集与由所述光电子云激活的像素相对应，其中所述多个像素的子集包括中心像素和多个相邻像素，其中所述中心像素包括对所述光子相互作用具有最高幅度响应的像素；以及
根据所述光电子云确定所述光子相互作用的特性，其中所述特性包括以下至少一项：所述相互作用的时间、位置和能量。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述光子检测器阵列包括在所述光子内生成静电排斥的阳极和阴极。
13.根据权利要求11所述的设备，其中所述中心像素接收负电荷电流感应。
14.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个相邻像素中的每一个像素接收正电荷电流感应。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述正电荷电流感应与所述光电子云的子集成比例。
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