[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供由半导体材料制成的第一应力缓冲层和第二应力缓冲层；

提供第一导热金属层、二极管芯片、第二导热金属层，其中，所述第一导热金属层和第二导热金属层为导热金属材料，所述第一应力缓冲层和第二应力缓冲层的材料与所述二极管芯片材料相同；

将第一导热金属层作为底部电极，在所述第一导热金属层上依次设置第一应力缓冲层、二极管芯片、第二应力缓冲层以及第二导热金属层，形成初级工件，其中，在所述第一导热金属层、第一应力缓冲层、二极管芯片、第二应力缓冲层以及第二导热金属层的每相邻的两层之间设置有焊片或者锡膏层；

将所述初级工件放置烧结炉中进行烧结工艺，形成半导体器件。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述将第一导热金属层作为底部电极，在所述第一导热金属层上依次设置第一应力缓冲层、二极管芯片、第二应力缓冲层以及第二导热金属层，形成初级工件，包括：

提供石墨板以及定位石墨套板，并将所述第一导热金属层定位放置在所述石墨板上，然后再摆上定位石墨套板，使所述第一导热金属层位于所述定位石墨套板内；

在所述第一应力缓冲层的一面印刷锡膏；

将所述应力缓冲层印刷了锡膏的那一面朝向所述第一导热金属层，并填装到定位石墨套板内，使所述第一应力缓冲层与所述第一导热金属层接触；

在所述二极管芯片的一面印刷锡膏；

将所述二极管芯片印刷了锡膏的那一面朝向所述第一应力缓冲层，并填装到定位石墨套版内，使所述二极管芯片与所述第一应力缓冲层接触；

在所述第二应力缓冲层的一面印刷锡膏；

将所述第二应力缓冲层印刷了锡膏的那一面朝向所述二极管芯片，并填装到定位石墨套版内，使所述第二应力缓冲层与所述二极管芯片接触；

在所述第二导热金属层的一面印刷锡膏；

将所述第二导热金属层印刷了锡膏的那一面朝向所述第二应力缓冲层，并填装到定位石墨套版内，使所述第二导热金属层与所述第二应力缓冲层接触，以形成初级工件。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述将第一导热金属层作为底部电极，在所述第一导热金属层上依次设置第一应力缓冲层、二极管芯片、第二应力缓冲层、第二导热金属层以及第二电极，形成初级工件，包括：

提供石墨板、定位石墨套板以及多个焊片，多个焊片包括第一焊片、第二焊片、第三焊片以及第四焊片，并将所述第一导热金属层定位放置在所述石墨板上，然后再摆上定位石墨套板，使所述第一导热金属层位于所述定位石墨套板内；

将所述第一焊片定位摆放在所述第一导热金属层上，并位于所述定位石墨套板内；

将所述第一应力缓冲层定位摆放在所述第一焊片上；

将所述第二焊片定位摆放在所述第一应力缓冲层上；

将所述二极管芯片定位摆放在所述第二焊片上；

将所述第三焊片定位摆放在所述二极管芯片上；

将所述第二应力缓冲层定位摆放在所述第三焊片上；

将所述第四焊片定位摆放在所述第二应力缓冲层上；

将所述第二导热金属层定位摆放在所述第四焊片上，以形成初级工件。

4.如权利要求1-3中任一所述的制造方法，其特征在于，还包括：提供第二电极，并将所述第二电极连接在所述第二导热金属层上。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述将所述第二电极连接在所述第二导热金属层上，包括：

在所述第二电极的部分区域上点上锡膏；

将所述第二电极上具有锡膏的一面朝向所述第二导热金属层，使所述第二电极与所述第二导热金属层接触；

或者，

提供第五焊片，并通过所述焊片摇盘将所述第五焊片定位摆放在所述第二导热金属层上；

将所述第二电极定位摆放在所述第五焊片上。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一应力缓冲层或所述第二应力缓冲层可以是单层或者多层。