[发明专利]对用以从存储器单元读取数据的操作的智能主动响应

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

集成电路封装，其围封所述存储器装置；以及

多个存储器单元群组，其形成在至少一个集成电路裸片上；

其中响应于识别所述多个群组内的存储器单元群组的命令，所述存储器装置被配置成：

测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性；

基于所述信号和噪声特性而确定读取电压；

评估能够使用所述读取电压从所述存储器单元群组检索的数据的质量；

基于所述质量而识别动作；

响应于所述命令而提供指示所述动作的响应；以及

在接收到所述响应之后的后续命令之前起始所述动作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中为了测量所述信号和噪声特性，所述存储器装置被配置成：

在均匀分布在测试电压范围中的多个测试电压下读取所述存储器单元群组；

分别确定在所述测试电压下的位计数，其中在测试电压下的每一位计数识别所述群组中的在所述测试电压下被读取时提供预定位值的存储器单元的数目；以及

针对所述测试电压中的多对邻近电压计算所述位计数的计数差，其中所述测试电压中的一对邻近电压之间的电压间隔的每一计数差是所述一对邻近电压的位计数之间的差；

其中基于所述计数差而确定所述读取电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中为了评估所述质量，所述存储器装置被配置成对能够使用所述读取电压从所述存储器单元群组检索的所述数据的位错误率进行分类。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中通过在预测模型或经验公式中应用所述信号和噪声特性而对所述位错误率进行分类。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中响应于确定所述位错误率被分类成低于第二类别的第一类别的位错误率，所述动作包含对使用所述读取电压读取的硬位数据进行解码。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中响应于确定所述位错误率被分类成高于第一类别的第二类别的位错误率，所述存储器装置被配置成确定所述读取电压是最优的还是次优的。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中当在第一测试电压间隔上的第一计数差不大于在低于所述第一测试电压间隔的第二测试电压间隔上的第二计数差以及在高于所述第一测试电压间隔的第三测试电压间隔上的第三计数差时，所述存储器装置被配置成：

确定所述读取电压是最优的；以及

基于以下两者之间的比率而计算所述相应读取电压：

从所述第一计数差到所述第二计数差的增加量，以及

从所述第一计数差到所述第三计数差的增加量；

其中响应于确定所述位错误率处于所述第二类别中且所述读取电压是最优的，所述动作包含在相对于所述读取电压具有预定偏移的电压下读取所述存储器单元群组以获得软位数据。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中当在第一测试电压间隔上的第一计数差不大于在均低于或均高于所述第一测试电压间隔的测试电压间隔上的至少两个计数差时，所述存储器装置被配置成：

基于以下两者之间的比率而计算所述读取电压：

所述第一计数差，以及

所述至少两个计数差当中最接近于所述第一测试电压间隔的测试电压间隔上的第二计数差；以及

确定所述读取电压是次优的；

其中响应于确定所述位错误率处于所述第二类别中且所述读取电压是次优的，所述动作包含重新校准所述读取电压。

9.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述存储器装置进一步被配置成确定所述读取电压是否处于错误电压范围中；以及响应于确定所述读取电压处于错误电压范围中，所述动作包含读取重试，或搜索用以校准所述读取电压的范围，或其任何组合。