[发明专利]正极片及其制造方法、电池

权利要求书

1.一种正极片，其特征在于，所述正极片包括正极集流体和设置在所述正极集流体的表面上的涂层，所述正极片的所述涂层的表面设置有至少四凹陷部，至少四所述凹陷部以二维阵列的形式排列，所述凹陷部的深度小于所述涂层的厚度。

2.根据权利要求1所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部的开口所对应的形状的最小外接圆的直径处于6微米至80微米的范围内，所述凹陷部的深度处于8微米至41微米的范围内，相邻两所述凹陷部的边缘之间的距离处于0.1毫米至1毫米的范围内。

3.根据权利要求2所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部的开口所对应的形状的最小外接圆的直径处于27微米至80微米的范围内，所述凹陷部的深度处于8微米至32微米的范围内，相邻两所述凹陷部的边缘之间的距离处于0.1毫米至0.3毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部的开口所对应的形状的最小外接圆的直径为27微米，所述凹陷部的深度为32微米，相邻两所述凹陷部的边缘之间的距离为0.1毫米。

5.根据权利要求1所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部的开口所对应的形状为圆形、椭圆形、多边形中的一者。

6.根据权利要求1所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部的开口的面积大于或等于所述凹陷部的底部的面积。

7.根据权利要求1所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部的深度与电极片的厚度的比值范围为0.25-0.35。

8.根据权利要求1所述的正极片，其特征在于，所述凹陷部至少包括第一子凹陷部和第二子凹陷部，所述第二子凹陷部的开口位于所述第一子凹陷部的底部，所述第二子凹陷部的开口的面积小于所述第一子凹陷部的底部的面积。

9.一种正极片的制造方法，其特征在于，包括：

在一正极集流体的表面设置一涂层；

将具有预定脉冲重复频率的至少四激光束照射所述涂层的表面，以在所述涂层的表面形成至少四凹陷部。

10.一种电池，其特征在于，所述电池包括负极片、隔膜以及如权利要求1至8任意一项所述的正极片，其中，所述隔膜设置于所述正极片和所述负极片之间。