[发明专利]一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管

权利要求书

1.一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管，包括衬底层(1)、位于衬底层(1)上表面的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上表面的外延层(3)；沿器件横向方向，所述外延层(3)上部的一端具有源区(4)，另一端具有漏区(5)，所述源区(4)上表面部分覆盖源极金属(6)，所述漏区(5)上表面部分覆盖漏极金属(7)；所述源区(4)和漏区(5)之间的外延层(3)中具有栅区，所述栅区不与源区(4)和漏区(5)相接触，其特征在于，沿器件纵向方向，所述栅区由两个或两个以上深度相同且等间距排列的槽型区构成，所述槽型区的槽壁、槽底和槽型区之间的外延层(3)上表面覆盖有栅介质层(9)，所述栅介质层(9)上表面覆盖栅极金属(8)且栅极金属(8)填充所述槽型区；所述栅极金属(8)和源极金属(6)之间、漏极金属(7)之间具有钝化介质层(10)；

所述槽型区的槽壁、槽底和槽型区之间的外延层(3)、栅介质层(9)和栅极金属(8)共同构成鳍型沟道区，所述鳍型沟道区的外延层(3)、栅介质层(9)和栅极金属(8)在鳍两侧构建MIS结构，在栅压为零时，利用金属与氧化镓半导体的功函数差将鳍型导电沟道夹断，从而实现关断，当栅压高于阈值电压，沟道开启并且在侧壁形成电子积累层，构成低阻通道以减小导通电阻。

2.根据权利要求1所述的一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述源极金属(6)顶部向漏极金属(7)方向延伸，部分覆盖钝化介质层(10)并终止于栅极金属(8)和漏极金属(7)之间的钝化介质层(10)上表面，且不与栅极金属(8)和漏极金属(7)接触。

3.根据权利要求1所述的一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述栅极金属(8)顶部向漏极金属(7)方向延伸且不与漏极金属(7)相接触，所述栅极金属(8)的延伸部分和外延层(3)之间具有钝化介质层(10)。

4.根据权利要求1所述的一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述栅区和漏区(5)之间的外延层(3)掺杂浓度从靠近栅区一侧到靠近漏区(5)一侧逐渐增加。