[发明专利]减振装置、半导体加工设备和减振方法

权利要求书

1.一种减振装置，其特征在于，应用于半导体加工设备，所述装置包括：反力外引装置和主动减振单元；所述反力外引装置包括：反力外引控制单元和执行器，所述主动减振单元包括：主动减振器和被动减振器；

所述反力外引控制单元，用于接收第一加速度传感器检测的所述半导体加工设备的吊框的加速度信息，并根据所述吊框的加速度信息计算第一目标力；

所述反力外引控制单元，还用于获取所述半导体加工设备的运动台的运动状态，根据所述运动状态确定所述反力外引装置的第一目标工作模式，并根据所述第一目标工作模式和所述第一目标力控制所述执行器对所述半导体加工设备的吊框和基础框架进行出力，其中，所述第一目标工作模式为以下任一种：静默工作模式、半功率工作模式和全功率工作模式；

所述主动减振器，用于接收第二加速度传感器检测的所述半导体加工设备所处位置的地基的加速度信息，并获取所述吊框的位移信息和速度信息，根据所述地基的加速度信息、所述吊框的位移信息和速度信息计算第二目标力；

所述主动减振器，还用于获取所述运动台的运动状态，根据所述运动状态确定所述主动减振器的第二目标工作模式，并根据所述第二目标工作模式和所述第二目标力对所述半导体加工设备的基础框架和主基板进行出力，其中，所述第二目标工作模式为以下任一种：所述主动减振器中的前馈控制单元、速度环控制单元和位置环控制单元全部全功率工作，或者，所述主动减振器中的前馈控制单元全功率工作，且所述速度环控制单元和所述位置环控制单元静默工作；

所述被动减振器，用于隔离来自所述地基的振动。

2.根据权利要求1所述的减振装置，其特征在于，所述执行器包括：定子和动子；

所述定子与所述基础框架接触，所述动子与所述吊框接触。

3.根据权利要求1所述的减振装置，其特征在于，所述运动状态包括以下任一种：加速运动状态、匀速运动状态、减速运动状态、稳定运动状态和静止状态。

4.一种半导体加工设备，其特征在于，包括：半导体加工设备本体和上述权利要求1至3中任一项所述的减振装置，还包括：第一加速度传感器和第二加速度传感器。

5.一种减振方法，其特征在于，应用于上述权利要求1至3中任一项所述的反力外引控制单元，所述方法包括：

获取半导体加工设备的吊框的加速度信息，并根据所述吊框的加速度信息计算第一目标力；

获取所述半导体加工设备的运动台的运动状态，并根据所述运动状态确定第一目标工作模式，其中，所述第一目标工作模式为以下任一种：静默工作模式、半功率工作模式和全功率工作模式；

根据所述第一目标工作模式和所述第一目标力控制执行器对所述半导体加工设备的吊框和基础框架进行出力。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述运动状态确定第一目标工作模式，包括：

当所述运动状态为加速运动状态时，所述第一目标工作模式为全功率工作模式；

当所述运动状态为匀速运动状态时，所述第一目标工作模式为半功率工作模式；

当所述运动状态为减速运动状态时，所述第一目标工作模式为全功率工作模式；

当所述运动状态为稳定运动状态时，所述第一目标工作模式为静默工作模式；

当所述运动状态为静止状态时，所述第一目标工作模式为静默工作模式。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述第一目标工作模式和所述第一目标力控制执行器对所述半导体加工设备的吊框和基础框架进行出力，包括：

当所述第一目标工作模式为静默工作模式时，控制所述执行器对所述半导体加工设备的吊框和基础框架以所述第一目标力的第一比例进行出力，其中，所述第一比例的范围为：0-15％；

当所述第一目标工作模式为半功率工作模式时，控制所述执行器对所述半导体加工设备的吊框和基础框架以所述第一目标力的第二比例进行出力，其中，所述第二比例的范围为：40％-60％；

当所述第一目标工作模式为全功率工作模式时，控制所述执行器对所述半导体加工设备的吊框和基础框架以所述第一目标力的第三比例进行出力，其中，所述第三比例的范围为：90％-100％。