[发明专利]一种新型硅基电光调制器及其制备工艺在审
| 申请号： | 202110494450.0 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113281919A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 崔积适 | 申请（专利权）人： | 三明学院 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02B6/12;G02B6/136 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨唯 |
| 地址： | 365000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电光 调制器 及其 制备 工艺 | ||
1.一种新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，包括：
在基底蚀刻形成硅波导区和slab区，所述硅波导区的两侧均设置有所述slab区，两侧的所述slab区均与所述硅波导区相连；
对所述slab区进行氧原子注入并退火。
2.根据权利要求1所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，所述slab区的厚度大于或等于所述硅波导区的厚度的二分之一。
3.根据权利要求2所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，所述slab区的厚度和所述硅波导区的厚度均为220nm。
4.根据权利要求1所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，所述基底为SOI基底。
5.根据权利要求4所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，在所述基底蚀刻形成所述硅波导区和所述slab区时，在SOI基底的顶层硅进行。
6.根据权利要求1所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，所述新型硅基电光调制器的制备工艺还包括：设置第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极均设于所述基底，所述第一电极连接于一侧所述slab区远离所述硅波导区的一侧，所述第二电极连接于另一侧所述slab区远离所述硅波导区的一侧。
7.根据权利要求6所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均设于所述基底固定连接。
8.根据权利要求1所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，位于所述硅波导区的两侧的所述slab区的宽度相同。
9.根据权利要求1所述的新型硅基电光调制器的制备工艺，其特征在于，位于所述硅波导区的两侧的所述slab区的宽度均大于所述硅波导区的宽度。
10.一种新型硅基电光调制器，其特征在于，根据如权利要求1～9任一项所述的新型硅基电光调制器的制备工艺制备得到。
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